非易失性半导体存储器

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN200710162018.1
申请日
2007-09-29
公开(公告)号
CN101154688A
公开(公告)日
2008-04-02
发明(设计)人
清水达雄 村冈浩一
申请人
申请人地址
日本东京都
IPC主分类号
H01L29792
IPC分类号
H01L2951 H01L27115
代理机构
中国国际贸易促进委员会专利商标事务所
代理人
王永刚
法律状态
实质审查的生效
国省代码
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共 50 条
[1]
非易失性半导体存储器以及非易失性半导体存储器的制造方法 [P]. 
福本洋平 ;
佐佐木隆兴 .
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[2]
非易失性半导体存储器、半导体器件和非易失性半导体存储器的制造方法 [P]. 
三谷祐一郎 ;
松下大介 ;
大场龙二 ;
上冈功 ;
小泽良夫 .
中国专利 :CN1905213A ,2007-01-31
[3]
非易失性半导体存储器设备 [P]. 
川端优 ;
山崎信夫 ;
石原数也 ;
大西润哉 ;
粟屋信义 ;
玉井幸夫 .
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[4]
非易失性半导体存储器 [P]. 
山田重和 .
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[5]
非易失半导体存储器 [P]. 
丹泽彻 ;
田浦忠行 ;
栗山正男 .
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[6]
非易失性半导体存储器 [P]. 
田中智晴 .
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[7]
非易失性半导体存储器 [P]. 
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竹内祐司 .
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非易失性半导体存储器 [P]. 
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[9]
非易失性半导体存储器 [P]. 
国清辰也 .
中国专利 :CN1380697A ,2002-11-20
[10]
非易失性半导体存储器 [P]. 
大川真贤 .
中国专利 :CN1201240A ,1998-12-09