非易失性半导体存储器以及非易失性半导体存储器的制造方法

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN201380010880.4
申请日
2013-02-22
公开(公告)号
CN104137239B
公开(公告)日
2014-11-05
发明(设计)人
福本洋平 佐佐木隆兴
申请人
申请人地址
日本东京
IPC主分类号
H01L2951
IPC分类号
H01L2128 H01L21336 H01L29788 H01L29792
代理机构
北京金信知识产权代理有限公司 11225
代理人
黄威;苏萌萌
法律状态
公开
国省代码
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共 50 条
[1]
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松下大介 ;
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[2]
非易失性半导体存储器 [P]. 
清水达雄 ;
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[3]
非易失性半导体存储器的制造方法和非易失性半导体存储器 [P]. 
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[4]
非易失性半导体存储器晶体管、非易失性半导体存储器及非易失性半导体存储器的制造方法 [P]. 
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[5]
非易失性半导体存储器 [P]. 
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[6]
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[7]
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[8]
非易失性半导体存储器 [P]. 
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[9]
非易失性半导体存储器 [P]. 
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[10]
非易失性半导体存储器 [P]. 
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