一种碳氮化硅薄膜的制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200810061233.7

申请日：

2008-03-18

公开(公告)号：

CN100540730C

公开(公告)日：

2008-08-20

发明(设计)人：

席珍强徐敏杜平凡姚剑

申请人：

申请人地址：

310018浙江省杭州市江干区经济技术开发区白杨街道2号大街5号

IPC主分类号：

C23C1630

IPC分类号：

C23C16513 C23C1602

代理机构：

杭州求是专利事务所有限公司

代理人：

林怀禹

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2008-08-20	公开	公开
2009-09-16	授权	授权
2008-10-15	实质审查的生效	实质审查的生效
2009-12-30	专利实施许可合同的备案	专利实施许可合同的备案合同备案号:2009330002543 让与人:浙江理工大学受让人:浙江晶科能源有限公司发明名称:一种碳氮化硅薄膜的制备方法申请日:20080318 授权公告日:20090916 许可种类:独占许可备案日期:20091019 合同履行期限:2009.10.16至2014.12.15合同变更
2012-05-23	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101250116732 IPC(主分类):C23C 16/30 专利号:ZL2008100612337 申请日:20080318 授权公告日:20090916 终止日期:20110318

共 50 条

[1]

一种碳氮化硅薄膜及其制备方法和应用 [P].

程兰云 ;

扈静 ;

芮祥新 ;

汪穹宇 ;

李建恒 .

中国专利 :CN117364061A ,2024-01-09

[2]

氮化硅薄膜的制备方法 [P].

李展信 .

中国专利 :CN103924212A ,2014-07-16

[3]

氮化硅薄膜的制备方法 [P].

尹勇 .

中国专利 :CN110473768A ,2019-11-19

[4]

氮化硅薄膜的制备方法 [P].

林嘉佑 .

中国专利 :CN103334087A ,2013-10-02

[5]

一种氮化硅薄膜制备方法 [P].

雷通 ;

桑宁波 .

中国专利 :CN104152865A ,2014-11-19

[6]

一种氮化硅薄膜制备方法 [P].

傅剑宇 ;

尚海平 ;

刘瑞文 ;

李志刚 ;

王玮冰 ;

陈大鹏 .

中国专利 :CN107749394A ,2018-03-02

[7]

一种制备碳氮化硅的方法 [P].

甘亚 ;

冯良荣 .

中国专利 :CN109368644A ,2019-02-22

[8]

一种低应力氮化硅薄膜的制备方法 [P].

周华芳 .

中国专利 :CN105070646B ,2015-11-18

[9]

一种高压应力氮化硅薄膜的制备方法 [P].

曾绍海 ;

左青云 .

中国专利 :CN103280400A ,2013-09-04

[10]

氮化硅薄膜及其制备方法 [P].

阮勇 ;

尤政 ;

魏启鹏 ;

刘通 .

中国专利 :CN108389780A ,2018-08-10

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