一种制备碳氮化硅的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201811411245.8

申请日：

2018-11-24

公开(公告)号：

CN109368644A

公开(公告)日：

2019-02-22

发明(设计)人：

甘亚冯良荣

申请人：

申请人地址：

610041 四川省成都市一环路南二段16号中国科学院成都有机化学研究所

IPC主分类号：

C01B3290

IPC分类号：

C01B32956 C01B21068

代理机构：

代理人：

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-06-04	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):C01B 32/90 申请日:20181124
2019-02-22	公开	公开

共 50 条

[1]

一种碳氮化硅薄膜的制备方法 [P].

席珍强 ;

徐敏 ;

杜平凡 ;

姚剑 .

中国专利 :CN100540730C ,2008-08-20

[2]

一种氮化硅结合氮化硅铁材料的制备方法 [P].

李勇 ;

秦海霞 .

中国专利 :CN105152663A ,2015-12-16

[3]

一种氮化硅基板的制备方法及氮化硅基板 [P].

罗贵成 ;

李成安 ;

杨世兵 ;

詹磊 ;

胡桐滔 .

中国专利 :CN120664885A ,2025-09-19

[4]

氮化硅的制备方法 [P].

朱青松 ;

何文 ;

董占美 ;

王佳军 ;

年夫雪 .

中国专利 :CN108285132B ,2018-07-17

[5]

制备氮化硅的方法 [P].

罗栋 ;

关英来 ;

王杨 ;

秦国强 .

中国专利 :CN101397130A ,2009-04-01

[6]

一种氮化硅的制备方法和生产氮化硅的系统 [P].

银波 ;

夏高强 ;

范协诚 ;

宋高杰 .

中国专利 :CN106672923A ,2017-05-17

[7]

一种碳氮化硅薄膜及其制备方法和应用 [P].

程兰云 ;

扈静 ;

芮祥新 ;

汪穹宇 ;

李建恒 .

中国专利 :CN117364061A ,2024-01-09

[8]

一种氮化硅的制备方法 [P].

田卓 ;

刘淑贞 ;

马天龙 .

中国专利 :CN115072678A ,2022-09-20

[9]

碳氮化硅点火器 [P].

陈长明 ;

包春华 ;

旷建平 ;

杨雪峰 ;

葛卫 .

中国专利 :CN201513920U ,2010-06-23

[10]

一种制备氮化硅的方法 [P].

程卓 .

中国专利 :CN105884373A ,2016-08-24

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