半导体器件

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN200780101904.1
申请日
2007-12-12
公开(公告)号
CN101897008B
公开(公告)日
2010-11-24
发明(设计)人
舛冈富士雄 工藤智彦
申请人
申请人地址
新加坡柏龄大厦
IPC主分类号
H01L21336
IPC分类号
H01L2128 H01L2978
代理机构
隆天国际知识产权代理有限公司 72003
代理人
郑小军;冯志云
法律状态
授权
国省代码
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共 50 条
[1]
半导体器件 [P]. 
土屋义规 ;
古贺淳二 .
中国专利 :CN1738060A ,2006-02-22
[2]
半导体器件及其制造方法 [P]. 
远藤真人 ;
荒井史隆 .
中国专利 :CN102522406A ,2012-06-27
[3]
半导体器件的制造方法 [P]. 
远藤真人 ;
荒井史隆 .
中国专利 :CN101145560B ,2008-03-19
[4]
半导体器件及其制造方法 [P]. 
远藤真人 ;
荒井史隆 .
中国专利 :CN101794790A ,2010-08-04
[5]
半导体器件及其制造方法 [P]. 
远藤真人 ;
荒井史隆 .
中国专利 :CN102569305A ,2012-07-11
[6]
半导体器件及其制造方法 [P]. 
新宮昌生 ;
木下敦宽 ;
土屋义规 .
中国专利 :CN101136437A ,2008-03-05
[7]
半导体器件及其形成方法 [P]. 
宋长庚 ;
金龙灿 .
中国专利 :CN104952801B ,2015-09-30
[8]
半导体元件及半导体器件 [P]. 
舛冈富士雄 ;
工藤智彦 .
中国专利 :CN102136496A ,2011-07-27
[9]
半导体器件和半导体器件的制造方法 [P]. 
清水达雄 ;
山口豪 ;
西川幸江 .
中国专利 :CN1677691A ,2005-10-05
[10]
半导体器件和制造半导体器件的方法 [P]. 
塚本惠介 ;
三原龙善 .
中国专利 :CN103985673B ,2014-08-13