半导体器件及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200910009888.4

申请日：

2009-01-22

公开(公告)号：

CN101494223B

公开(公告)日：

2009-07-29

发明(设计)人：

根本道生中泽治雄

申请人：

申请人地址：

日本神奈川县

IPC主分类号：

H01L27105

IPC分类号：

H01L27102 H01L218249 H01L21268

代理机构：

上海专利商标事务所有限公司 31100

代理人：

张鑫

法律状态：

专利申请权、专利权的转移

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2011-11-09	专利申请权、专利权的转移	专利申请权的转移号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101204910806 IPC(主分类):H01L 27/105 专利申请号:2009100098884 变更事项:申请人变更前权利人:富士电机系统株式会社变更后权利人:富士电机株式会社变更事项:地址变更前权利人:日本东京变更后权利人:日本神奈川县登记生效日:20110921
2011-02-23	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101038113403 IPC(主分类):H01L 27/105 专利申请号:2009100098884 申请日:20090122
2009-07-29	公开	公开
2013-02-06	授权	授权
2010-06-30	专利申请权、专利权的转移	专利申请权的转移号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101002742173 IPC(主分类):H01L 27/105 专利申请号:2009100098884 变更事项:申请人变更前权利人:富士电机电子技术株式会社变更后权利人:富士电机系统株式会社变更事项:地址变更前权利人:日本东京变更后权利人:日本东京登记生效日:20100521

共 50 条

[1]

半导体器件及其制造方法 [P].

根本道生 ;

中泽治雄 .

中国专利 :CN102983159A ,2013-03-20

[2]

半导体器件及其制造方法 [P].

高光永 .

中国专利 :CN101136335A ,2008-03-05

[3]

半导体器件及其制造方法 [P].

郑璲钰 .

中国专利 :CN101567339B ,2009-10-28

[4]

半导体器件及其制造方法 [P].

门岛胜 ;

井上真雄 .

中国专利 :CN108735800A ,2018-11-02

[5]

半导体器件及其制造方法 [P].

金承焕 .

中国专利 :CN102054766A ,2011-05-11

[6]

半导体器件及其制造方法 [P].

李柄勋 ;

林昌文 .

中国专利 :CN103165610A ,2013-06-19

[7]

半导体器件及其制造方法 [P].

金志永 ;

金大益 ;

金冈昱 ;

金那罗 ;

朴济民 ;

李圭现 ;

郑铉雨 ;

秦教英 ;

洪亨善 ;

黄有商 .

中国专利 :CN104037125B ,2014-09-10

[8]

半导体器件及其制造方法 [P].

金承范 .

中国专利 :CN102034755A ,2011-04-27

[9]

半导体器件及其制造方法 [P].

伊东由夫 ;

久岛好正 ;

内田浩和 .

中国专利 :CN101552244A ,2009-10-07

[10]

半导体器件及其制造方法 [P].

前田茂伸 ;

卢铉弼 ;

李忠浩 ;

咸锡宪 .

中国专利 :CN103137621A ,2013-06-05

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