相变存储器接触电极的制备方法及相变存储器接触电极

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201310471274.4

申请日：

2013-10-10

公开(公告)号：

CN103515535A

公开(公告)日：

2014-01-15

发明(设计)人：

孔涛卫芬芬黄荣张杰程国胜

申请人：

申请人地址：

215123 江苏省苏州市苏州工业园区若水路398号

IPC主分类号：

H01L4500

IPC分类号：

代理机构：

深圳市科进知识产权代理事务所(普通合伙) 44316

代理人：

宋鹰武;沈祖锋

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2014-02-19	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101571922838 IPC(主分类):H01L 45/00 专利申请号:2013104712744 申请日:20131010
2014-01-15	公开	公开
2017-06-30	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101754633543 IPC(主分类):H01L 45/00 专利申请号:2013104712744 申请公布日:20140115

共 50 条

[1]

一种相变存储器加热电极及相变存储器 [P].

孔涛 ;

张杰 ;

黄荣 ;

卫芬芬 ;

程国胜 .

中国专利 :CN203871379U ,2014-10-08

[2]

相变存储材料、相变存储器及其制备方法 [P].

周凌珺 ;

杨红心 ;

刘峻 .

中国专利 :CN114864818A ,2022-08-05

[3]

相变存储材料、相变存储器及其制备方法 [P].

周凌珺 ;

杨红心 ;

刘峻 .

中国专利 :CN114864818B ,2025-08-15

[4]

相变存储器加热电极的制备方法 [P].

冯高明 ;

宋志棠 ;

刘波 ;

封松林 ;

万旭东 ;

吴关平 .

中国专利 :CN101567420A ,2009-10-28

[5]

相变存储器的制备方法和相变存储器 [P].

黄仕璋 ;

李宜政 ;

刘育宏 .

中国专利 :CN115428159B ,2025-10-03

[6]

相变存储器的制备方法和相变存储器 [P].

廖昱程 .

中国专利 :CN115443537A ,2022-12-06

[7]

相变存储器的制备方法和相变存储器 [P].

黄仕璋 ;

李宜政 ;

刘育宏 .

中国专利 :CN115428159A ,2022-12-02

[8]

具有侧壁接触的相变存储器 [P].

马克·卡莫赖 ;

托马斯·尼尔希 .

中国专利 :CN101202327A ,2008-06-18

[9]

相变存储器的制造方法及相变存储器 [P].

刘峻 ;

高王荣 ;

徐陈林 .

中国专利 :CN112614809A ,2021-04-06

[10]

相变存储器的制造方法及相变存储器 [P].

刘峻 ;

高王荣 ;

徐陈林 .

中国专利 :CN112614809B ,2024-04-19

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