具有双极性AlN模板层的深紫外发光二极管的外延片

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202110654853.7

申请日：

2021-06-11

公开(公告)号：

CN113594320B

公开(公告)日：

2021-11-02

发明(设计)人：

丁涛龚程成尹涌梅劲

申请人：

申请人地址：

322000 浙江省金华市义乌市苏溪镇苏福路233号

IPC主分类号：

H01L3332

IPC分类号：

H01L3306 H01L3300

代理机构：

北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138

代理人：

吕耀萍

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-08-12	授权	授权
2021-11-02	公开	公开
2021-11-19	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 33/32 申请日:20210611

共 50 条

[1]

深紫外发光二极管的外延片及其制备方法 [P].

丁涛 ;

龚程成 ;

尹涌 ;

梅劲 .

中国专利 :CN113571617B ,2021-10-29

[2]

深紫外发光二极管的外延片及其制备方法 [P].

丁涛 ;

董彬忠 ;

龚程成 ;

尹涌 ;

梅劲 .

中国专利 :CN113284994A ,2021-08-20

[3]

深紫外发光二极管的外延片及其制备方法 [P].

丁涛 ;

龚程成 ;

尹涌 ;

梅劲 .

中国专利 :CN113284995A ,2021-08-20

[4]

AlGaN基深紫外发光二极管的外延片及其制备方法 [P].

丁涛 ;

龚程成 ;

尹涌 ;

梅劲 .

中国专利 :CN113571616B ,2021-10-29

[5]

深紫外发光二极管外延片及其制备方法、深紫外发光二极管 [P].

程龙 ;

郑文杰 ;

高虹 ;

刘春杨 ;

胡加辉 ;

金从龙 .

中国专利 :CN115714155B ,2025-10-31

[6]

深紫外发光二极管外延片及其制备方法、深紫外发光二极管 [P].

程龙 ;

郑文杰 ;

高虹 ;

刘春杨 ;

胡加辉 ;

金从龙 .

中国专利 :CN115832131B ,2025-10-17

[7]

深紫外发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管 [P].

程龙 ;

郑文杰 ;

高虹 ;

刘春杨 ;

胡加辉 ;

金从龙 .

中国专利 :CN115986020B ,2025-08-05

[8]

深紫外发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管 [P].

张彩霞 ;

印从飞 ;

程金连 ;

刘春杨 ;

胡加辉 ;

金从龙 .

中国专利 :CN116387420B ,2024-07-16

[9]

深紫外发光二极管的外延片及其制备方法 [P].

丁涛 ;

龚程成 ;

尹涌 ;

梅劲 .

中国专利 :CN113571614B ,2021-10-29

[10]

深紫外发光二极管的外延片及其制备方法 [P].

尹涌 ;

易丁丁 ;

张琰琰 ;

陆香花 .

中国专利 :CN114784150A ,2022-07-22

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