晶体生长用双层坩埚及晶体生长工艺

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201811640510.X

申请日：

2018-12-29

公开(公告)号：

CN109576777A

公开(公告)日：

2019-04-05

发明(设计)人：

赵有文段满龙

申请人：

申请人地址：

519000 广东省珠海市香洲区高新区金鼎工业片区金瑞二路南侧A1栋厂房

IPC主分类号：

C30B1110

IPC分类号：

C30B2940

代理机构：

广东朗乾律师事务所 44291

代理人：

闫有幸;杨焕军

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2019-04-30	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):C30B 11/10 申请日:20181229
2019-04-05	公开	公开
2021-10-29	著录事项变更	著录事项变更 IPC(主分类):C30B 11/10 变更事项:申请人变更前:珠海鼎泰芯源晶体有限公司变更后:珠海鼎泰芯源晶体有限公司变更事项:地址变更前:519000 广东省珠海市香洲区高新区金鼎工业片区金瑞二路南侧A1栋厂房变更后:519000 广东省珠海市高新区金鼎工业片区金园一路6号8栋

共 50 条

[1]

晶体生长用双层坩埚 [P].

赵有文 ;

段满龙 .

中国专利 :CN209537670U ,2019-10-25

[2]

晶体生长工艺、晶体生长炉 [P].

于旭东 ;

盛建明 ;

胡董成 .

中国专利 :CN102732944A ,2012-10-17

[3]

基于VGF法晶体生长用石英封帽、晶体生长装置及晶体生长工艺 [P].

赵有文 ;

沈桂英 ;

段满龙 ;

杨俊 ;

卢伟 ;

刘鹏 .

中国专利 :CN110952133B ,2024-08-06

[4]

基于VGF法晶体生长用石英封帽、晶体生长装置及晶体生长工艺 [P].

赵有文 ;

沈桂英 ;

段满龙 ;

杨俊 ;

卢伟 ;

刘鹏 .

中国专利 :CN110952133A ,2020-04-03

[5]

晶体生长坩埚 [P].

羽木良明 .

中国专利 :CN101018895A ,2007-08-15

[6]

稀土晶体生长设备、稀土晶体生长工艺及应用 [P].

薛冬峰 ;

孙丛婷 .

中国专利 :CN106757317A ,2017-05-31

[7]

稀土晶体生长设备、稀土晶体生长工艺及应用 [P].

薛冬峰 ;

孙丛婷 .

中国专利 :CN106757349A ,2017-05-31

[8]

多晶铸锭晶体生长工艺 [P].

李会吴 ;

周基江 ;

陈方芳 .

中国专利 :CN101974780A ,2011-02-16

[9]

蓝宝石晶体生长工艺 [P].

付秀辉 ;

丁军辉 ;

林太顺 .

中国专利 :CN113564694A ,2021-10-29

[10]

一种晶体生长用双层坩埚 [P].

田忠军 ;

孙志刚 ;

杨陈 ;

冯杰 .

中国专利 :CN222043415U ,2024-11-22

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