晶体生长用双层坩埚

被引：0

专利类型：

实用新型

申请号：

CN201822255012.5

申请日：

2018-12-29

公开(公告)号：

CN209537670U

公开(公告)日：

2019-10-25

发明(设计)人：

赵有文段满龙

申请人：

申请人地址：

519000 广东省珠海市香洲区高新区金鼎工业片区金瑞二路南侧A1栋厂房

IPC主分类号：

C30B1110

IPC分类号：

C30B2940

代理机构：

广东朗乾律师事务所 44291

代理人：

闫有幸;杨焕军

法律状态：

授权

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2019-10-25	授权	授权

共 50 条

[1]

晶体生长用双层坩埚及晶体生长工艺 [P].

赵有文 ;

段满龙 .

中国专利 :CN109576777A ,2019-04-05

[2]

一种晶体生长用双层坩埚 [P].

田忠军 ;

孙志刚 ;

杨陈 ;

冯杰 .

中国专利 :CN222043415U ,2024-11-22

[3]

一种晶体生长用双层坩埚 [P].

马争荣 ;

王建玲 .

中国专利 :CN213327927U ,2021-06-01

[4]

晶体生长坩埚 [P].

羽木良明 .

中国专利 :CN101018895A ,2007-08-15

[5]

晶体生长坩埚及晶体生长炉 [P].

张彬镜 ;

陈泽邦 ;

蔡杰毅 ;

孔舒燕 ;

赵衡煜 ;

郑燕青 .

中国专利 :CN222024552U ,2024-11-19

[6]

晶体生长用坩埚结构 [P].

李留臣 ;

冯金生 .

中国专利 :CN202226959U ,2012-05-23

[7]

晶体生长复合坩埚 [P].

李留臣 ;

冯金生 .

中国专利 :CN202247011U ,2012-05-30

[8]

一种基于VGF法的晶体生长用双层壁坩埚 [P].

赵有文 ;

卢伟 ;

段满龙 ;

杨俊 ;

刘京明 .

中国专利 :CN211005709U ,2020-07-14

[9]

复合坩埚以及晶体生长设备 [P].

赵起悦 .

中国专利 :CN222729954U ,2025-04-08

[10]

一种晶体生长用PBN坩埚 [P].

张浩 ;

易明辉 ;

张汪阳 ;

周铁军 .

中国专利 :CN222975359U ,2025-06-13

← 1 2 3 4 5 →