一种晶体生长用双层坩埚

被引：0

专利类型：

实用新型

申请号：

CN202420295353.8

申请日：

2024-02-18

公开(公告)号：

CN222043415U

公开(公告)日：

2024-11-22

发明(设计)人：

田忠军孙志刚杨陈冯杰

申请人：

宁波大学

申请人地址：

315021 浙江省宁波市江北区风华路818号

IPC主分类号：

C30B35/00

IPC分类号：

B01L3/04

代理机构：

杭州山泰专利代理事务所(普通合伙) 33438

代理人：

韩斐

法律状态：

授权

国省代码：

浙江省宁波市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-11-22	授权	授权

共 50 条

[1]

晶体生长用双层坩埚 [P].

赵有文 ;

段满龙 .

中国专利 :CN209537670U ,2019-10-25

[2]

一种晶体生长用双层坩埚 [P].

马争荣 ;

王建玲 .

中国专利 :CN213327927U ,2021-06-01

[3]

晶体生长用双层坩埚及晶体生长工艺 [P].

赵有文 ;

段满龙 .

中国专利 :CN109576777A ,2019-04-05

[4]

一种晶体生长用PBN坩埚 [P].

张浩 ;

易明辉 ;

张汪阳 ;

周铁军 .

中国专利 :CN222975359U ,2025-06-13

[5]

一种晶体生长用坩埚 [P].

李涛 ;

柳井忠 ;

黄小卫 ;

柳祝平 .

中国专利 :CN205241850U ,2016-05-18

[6]

晶体生长坩埚及晶体生长炉 [P].

张彬镜 ;

陈泽邦 ;

蔡杰毅 ;

孔舒燕 ;

赵衡煜 ;

郑燕青 .

中国专利 :CN222024552U ,2024-11-19

[7]

晶体生长用坩埚结构 [P].

李留臣 ;

冯金生 .

中国专利 :CN202226959U ,2012-05-23

[8]

一种基于VGF法的晶体生长用双层壁坩埚 [P].

赵有文 ;

卢伟 ;

段满龙 ;

杨俊 ;

刘京明 .

中国专利 :CN211005709U ,2020-07-14

[9]

一种晶体生长坩埚 [P].

梁晓亮 ;

马远 ;

潘尧波 .

中国专利 :CN221971735U ,2024-11-08

[10]

一种晶体生长坩埚 [P].

廖永建 ;

张福亮 ;

周里华 .

中国专利 :CN212404351U ,2021-01-26

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