一种晶体生长用PBN坩埚

被引：0

专利类型：

实用新型

申请号：

CN202422007803.1

申请日：

2024-08-19

公开(公告)号：

CN222975359U

公开(公告)日：

2025-06-13

发明(设计)人：

张浩易明辉张汪阳周铁军

申请人：

广东先导微电子科技有限公司

申请人地址：

511517 广东省清远市高新区创兴三路16号A车间

IPC主分类号：

C30B35/00

IPC分类号：

代理机构：

广州三环专利商标代理有限公司 44202

代理人：

黄诗彬

法律状态：

授权

国省代码：

江苏省常州市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-06-13	授权	授权

共 50 条

[1]

晶体生长用双层坩埚 [P].

赵有文 ;

段满龙 .

中国专利 :CN209537670U ,2019-10-25

[2]

一种晶体生长用双层坩埚 [P].

田忠军 ;

孙志刚 ;

杨陈 ;

冯杰 .

中国专利 :CN222043415U ,2024-11-22

[3]

一种晶体生长用坩埚 [P].

李涛 ;

柳井忠 ;

黄小卫 ;

柳祝平 .

中国专利 :CN205241850U ,2016-05-18

[4]

晶体生长坩埚及晶体生长炉 [P].

张彬镜 ;

陈泽邦 ;

蔡杰毅 ;

孔舒燕 ;

赵衡煜 ;

郑燕青 .

中国专利 :CN222024552U ,2024-11-19

[5]

晶体生长坩埚以及晶体生长设备 [P].

翟虎 ;

孙金梅 ;

史永贵 .

中国专利 :CN118422324A ,2024-08-02

[6]

晶体生长用坩埚结构 [P].

李留臣 ;

冯金生 .

中国专利 :CN202226959U ,2012-05-23

[7]

一种晶体生长坩埚 [P].

梁晓亮 ;

马远 ;

潘尧波 .

中国专利 :CN221971735U ,2024-11-08

[8]

一种晶体生长坩埚 [P].

廖永建 ;

张福亮 ;

周里华 .

中国专利 :CN212404351U ,2021-01-26

[9]

晶体生长用双层坩埚及晶体生长工艺 [P].

赵有文 ;

段满龙 .

中国专利 :CN109576777A ,2019-04-05

[10]

一种晶体生长用坩埚盖 [P].

翟海峰 .

中国专利 :CN208379044U ,2019-01-15

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