非挥发存储器的制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200810223341.X

申请日：

2008-09-26

公开(公告)号：

CN100583400C

公开(公告)日：

2009-04-01

发明(设计)人：

朱晨昕贾锐陈晨李维龙李昊峰王琴刘明

申请人：

申请人地址：

100029北京市朝阳区北土城西路3号中科院微电子所

IPC主分类号：

H01L21336

IPC分类号：

H01L2128 H01L218247

代理机构：

北京市德权律师事务所

代理人：

王建国

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2009-04-01	公开	公开
2009-05-27	实质审查的生效	实质审查的生效
2021-09-03	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 21/336 申请日:20080926 授权公告日:20100120 终止日期:20200926
2010-01-20	授权	授权
2013-05-08	专利申请权、专利权的转移	专利权的转移号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101588804280 IPC(主分类):H01L 21/336 专利号:ZL200810223341X 变更事项:专利权人变更前权利人:中国科学院微电子研究所变更后权利人:中芯国际集成电路制造(上海)有限公司变更事项:地址变更前权利人:100029 北京市朝阳区北土城西路3号中科院微电子所变更后权利人:201203 上海市浦东新区张江路18号变更事项:专利权人变更前权利人:无变更后权利人:中国科学院微电子研究所登记生效日:20130419

共 50 条

[1]

非挥发存储器的制备方法 [P].

朱晨昕 ;

贾锐 ;

李维龙 ;

陈晨 ;

李昊峰 ;

王琴 ;

刘明 .

中国专利 :CN101399209B ,2009-04-01

[2]

一种多值非挥发存储器及其制备方法 [P].

刘明 ;

许中广 ;

霍宗亮 ;

谢常青 ;

龙世兵 ;

李冬梅 ;

朱晨昕 .

中国专利 :CN102693984B ,2012-09-26

[3]

三维多值非挥发存储器的制备方法 [P].

刘明 ;

朱晨昕 ;

霍宗亮 ;

闫锋 ;

王琴 ;

龙世兵 .

中国专利 :CN102315173A ,2012-01-11

[4]

多层纳米晶浮栅结构的非挥发性存储器及其制备方法 [P].

王琴 ;

管伟华 ;

刘琦 ;

胡媛 ;

李维龙 ;

龙世兵 ;

贾锐 ;

陈宝钦 ;

刘明 .

中国专利 :CN101383378A ,2009-03-11

[5]

一种电荷俘获非挥发存储器的制造方法 [P].

刘明 ;

王晨杰 ;

霍宗亮 ;

张满红 ;

王琴 ;

刘璟 ;

谢常青 .

中国专利 :CN102800632A ,2012-11-28

[6]

非挥发存储器及其制造方法 [P].

田喜锡 ;

尹胜范 ;

韩晶昱 .

中国专利 :CN100517721C ,2006-06-28

[7]

非挥发存储器及其制造方法 [P].

姜盛泽 .

中国专利 :CN100565929C ,2006-05-10

[8]

多位非挥发存储器及其操作方法 [P].

潘立阳 ;

刘利芳 .

中国专利 :CN103066131A ,2013-04-24

[9]

基于锗硅异质纳米结构的非挥发浮栅存储器及制备方法 [P].

施毅 ;

闾锦 ;

陈裕斌 ;

左正 ;

濮林 ;

张荣 ;

韩平 ;

顾书林 ;

郑有炓 .

中国专利 :CN101123277A ,2008-02-13

[10]

非挥发性存储器器件结构 [P].

康晋锋 ;

杨竞峰 ;

刘晓彦 ;

张兴 ;

王新安 ;

韩汝琦 ;

王阳元 .

中国专利 :CN1851932A ,2006-10-25

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