多层纳米晶浮栅结构的非挥发性存储器及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200710121367.9

申请日：

2007-09-05

公开(公告)号：

CN101383378A

公开(公告)日：

2009-03-11

发明(设计)人：

王琴管伟华刘琦胡媛李维龙龙世兵贾锐陈宝钦刘明

申请人：

申请人地址：

100029北京市朝阳区北土城西路3号

IPC主分类号：

H01L29788

IPC分类号：

H01L2949 H01L27115 H01L21336 H01L2128 H01L218247

代理机构：

中科专利商标代理有限责任公司

代理人：

周国城

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2009-03-11	公开	公开
2009-05-06	实质审查的生效	实质审查的生效
2011-11-23	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101215937507 IPC(主分类):H01L 29/788 专利申请号:2007101213679 公开日:20090311

共 50 条

[1]

基于纳米异质结构的非挥发性浮栅存储器 [P].

施毅 ;

闾锦 ;

杨红官 ;

张荣 ;

濮林 ;

韩平 ;

顾书林 ;

朱顺明 ;

郑有炓 .

中国专利 :CN1870299A ,2006-11-29

[2]

基于纳米晶浮栅结构的多值非挥发性存储器的存储方法 [P].

王琴 ;

杨潇楠 ;

刘明 ;

王永 .

中国专利 :CN102117656A ,2011-07-06

[3]

非挥发性存储器器件结构 [P].

康晋锋 ;

杨竞峰 ;

刘晓彦 ;

张兴 ;

王新安 ;

韩汝琦 ;

王阳元 .

中国专利 :CN1851932A ,2006-10-25

[4]

一种金属纳米晶浮栅非挥发性存储器及其制作方法 [P].

龙世兵 ;

刘明 ;

贾锐 ;

陈宝钦 ;

王琴 ;

涂德钰 ;

胡媛 ;

管伟华 ;

刘琦 ;

李维龙 ;

王永 ;

杨潇楠 ;

张森 .

中国专利 :CN101452963A ,2009-06-10

[5]

基于锗硅异质纳米结构的非挥发浮栅存储器及制备方法 [P].

施毅 ;

闾锦 ;

陈裕斌 ;

左正 ;

濮林 ;

张荣 ;

韩平 ;

顾书林 ;

郑有炓 .

中国专利 :CN101123277A ,2008-02-13

[6]

非挥发性存储器器件结构 [P].

康晋锋 ;

杨竞峰 ;

刘晓彦 ;

张兴 ;

王新安 ;

韩汝琦 ;

王阳元 .

中国专利 :CN1851931A ,2006-10-25

[7]

一种纳米晶浮栅非挥发性存储器及其制作方法 [P].

王琴 ;

贾锐 ;

李维龙 ;

龙世兵 ;

陈宝钦 ;

刘明 ;

叶甜春 .

中国专利 :CN101276841A ,2008-10-01

[8]

基于双层纳米硅结构的非挥发性浮栅存储器及制备方法 [P].

陈坤基 ;

吴良才 ;

王久敏 ;

余林蔚 ;

李伟 ;

徐骏 ;

丁宏林 ;

张贤高 ;

刘奎 ;

王祥 ;

徐岭 ;

黄信凡 .

中国专利 :CN101026194A ,2007-08-29

[9]

差分浮栅非挥发性存储器 [P].

查德·A·林霍斯特 ;

克里斯托弗·J·迪奥里奥 ;

特洛伊·N·吉利兰 ;

阿尔贝托·佩萨文托 ;

沙伊尔·斯利尼瓦斯 ;

马彦军 ;

特里·哈斯 ;

卡姆比兹·拉希米 .

中国专利 :CN1679110A ,2005-10-05

[10]

非挥发性存储器元件及其制造方法 [P].

张文岳 .

中国专利 :CN120711733A ,2025-09-26

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