基于纳米晶浮栅结构的多值非挥发性存储器的存储方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200910312948.X

申请日：

2009-12-31

公开(公告)号：

CN102117656A

公开(公告)日：

2011-07-06

发明(设计)人：

王琴杨潇楠刘明王永

申请人：

申请人地址：

100029 北京市朝阳区北土城西路3号

IPC主分类号：

G11C1604

IPC分类号：

G11C1610

代理机构：

北京市德权律师事务所 11302

代理人：

王建国

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2011-08-24	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101098308719 IPC(主分类):G11C 16/04 专利申请号:200910312948X 申请日:20091231
2013-10-16	授权	授权
2011-07-06	公开	公开

共 50 条

[1]

多层纳米晶浮栅结构的非挥发性存储器及其制备方法 [P].

王琴 ;

管伟华 ;

刘琦 ;

胡媛 ;

李维龙 ;

龙世兵 ;

贾锐 ;

陈宝钦 ;

刘明 .

中国专利 :CN101383378A ,2009-03-11

[2]

基于纳米异质结构的非挥发性浮栅存储器 [P].

施毅 ;

闾锦 ;

杨红官 ;

张荣 ;

濮林 ;

韩平 ;

顾书林 ;

朱顺明 ;

郑有炓 .

中国专利 :CN1870299A ,2006-11-29

[3]

差分浮栅非挥发性存储器 [P].

查德·A·林霍斯特 ;

克里斯托弗·J·迪奥里奥 ;

特洛伊·N·吉利兰 ;

阿尔贝托·佩萨文托 ;

沙伊尔·斯利尼瓦斯 ;

马彦军 ;

特里·哈斯 ;

卡姆比兹·拉希米 .

中国专利 :CN1679110A ,2005-10-05

[4]

一种基于纳米晶的非挥发性存储器 [P].

顾靖 ;

张雄 ;

张博 ;

曹子贵 ;

孔蔚然 ;

王永 ;

杨潇楠 .

中国专利 :CN101599493A ,2009-12-09

[5]

一种纳米晶浮栅非挥发性存储器及其制作方法 [P].

王琴 ;

贾锐 ;

李维龙 ;

龙世兵 ;

陈宝钦 ;

刘明 ;

叶甜春 .

中国专利 :CN101276841A ,2008-10-01

[6]

非挥发性存储器及非挥发性存储器的制造方法 [P].

朴健植 ;

白圭夏 .

中国专利 :CN103378105A ,2013-10-30

[7]

非挥发性存储器结构 [P].

王子嵩 ;

马晨亮 .

中国专利 :CN111952314A ,2020-11-17

[8]

非挥发性存储器结构 [P].

王子嵩 .

中国专利 :CN111952320A ,2020-11-17

[9]

非挥发性存储器结构 [P].

赵容崧 ;

廖宏魁 ;

刘振强 .

中国专利 :CN113675208A ,2021-11-19

[10]

非挥发性存储器的制造方法 [P].

宁丹 ;

王腾锋 .

中国专利 :CN111316439A ,2020-06-19

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