基于纳米异质结构的非挥发性浮栅存储器

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200610085590.8

申请日：

2006-06-26

公开(公告)号：

CN1870299A

公开(公告)日：

2006-11-29

发明(设计)人：

施毅闾锦杨红官张荣濮林韩平顾书林朱顺明郑有炓

申请人：

申请人地址：

210093江苏省南京市汉口路22号

IPC主分类号：

H01L29788

IPC分类号：

H01L2940 H01L27115

代理机构：

南京天翼专利代理有限责任公司

代理人：

汤志武;王鹏翔

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2006-11-29	公开	公开
2009-05-06	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回
2007-01-24	实质审查的生效	实质审查的生效

共 50 条

[1]

基于锗硅异质纳米结构的非挥发浮栅存储器及制备方法 [P].

施毅 ;

闾锦 ;

陈裕斌 ;

左正 ;

濮林 ;

张荣 ;

韩平 ;

顾书林 ;

郑有炓 .

中国专利 :CN101123277A ,2008-02-13

[2]

多层纳米晶浮栅结构的非挥发性存储器及其制备方法 [P].

王琴 ;

管伟华 ;

刘琦 ;

胡媛 ;

李维龙 ;

龙世兵 ;

贾锐 ;

陈宝钦 ;

刘明 .

中国专利 :CN101383378A ,2009-03-11

[3]

基于双层纳米硅结构的非挥发性浮栅存储器及制备方法 [P].

陈坤基 ;

吴良才 ;

王久敏 ;

余林蔚 ;

李伟 ;

徐骏 ;

丁宏林 ;

张贤高 ;

刘奎 ;

王祥 ;

徐岭 ;

黄信凡 .

中国专利 :CN101026194A ,2007-08-29

[4]

非挥发性存储器器件结构 [P].

康晋锋 ;

杨竞峰 ;

刘晓彦 ;

张兴 ;

王新安 ;

韩汝琦 ;

王阳元 .

中国专利 :CN1851932A ,2006-10-25

[5]

差分浮栅非挥发性存储器 [P].

查德·A·林霍斯特 ;

克里斯托弗·J·迪奥里奥 ;

特洛伊·N·吉利兰 ;

阿尔贝托·佩萨文托 ;

沙伊尔·斯利尼瓦斯 ;

马彦军 ;

特里·哈斯 ;

卡姆比兹·拉希米 .

中国专利 :CN1679110A ,2005-10-05

[6]

基于纳米晶浮栅结构的多值非挥发性存储器的存储方法 [P].

王琴 ;

杨潇楠 ;

刘明 ;

王永 .

中国专利 :CN102117656A ,2011-07-06

[7]

非挥发性存储器器件结构 [P].

康晋锋 ;

杨竞峰 ;

刘晓彦 ;

张兴 ;

王新安 ;

韩汝琦 ;

王阳元 .

中国专利 :CN1851931A ,2006-10-25

[8]

非挥发性存储器结构 [P].

王子嵩 ;

马晨亮 .

中国专利 :CN111952314A ,2020-11-17

[9]

非挥发性存储器结构 [P].

王子嵩 .

中国专利 :CN111952320A ,2020-11-17

[10]

非挥发性存储器结构 [P].

赵容崧 ;

廖宏魁 ;

刘振强 .

中国专利 :CN113675208A ,2021-11-19

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