基于锗硅异质纳米结构的非挥发浮栅存储器及制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200710131530.X

申请日：

2007-09-04

公开(公告)号：

CN101123277A

公开(公告)日：

2008-02-13

发明(设计)人：

施毅闾锦陈裕斌左正濮林张荣韩平顾书林郑有炓

申请人：

申请人地址：

210093江苏省南京市汉口路22号

IPC主分类号：

H01L29788

IPC分类号：

H01L2949 H01L27115 H01L2128

代理机构：

南京天翼专利代理有限责任公司

代理人：

汤志武;王鹏翔

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2008-04-09	实质审查的生效	实质审查的生效
2012-11-14	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101348350339 IPC(主分类):H01L 21/28 专利号:ZL200710131530X 申请日:20070904 授权公告日:20090708 终止日期:20110904
2008-02-13	公开	公开
2009-07-08	授权	授权

共 50 条

[1]

基于纳米异质结构的非挥发性浮栅存储器 [P].

施毅 ;

闾锦 ;

杨红官 ;

张荣 ;

濮林 ;

韩平 ;

顾书林 ;

朱顺明 ;

郑有炓 .

中国专利 :CN1870299A ,2006-11-29

[2]

多层纳米晶浮栅结构的非挥发性存储器及其制备方法 [P].

王琴 ;

管伟华 ;

刘琦 ;

胡媛 ;

李维龙 ;

龙世兵 ;

贾锐 ;

陈宝钦 ;

刘明 .

中国专利 :CN101383378A ,2009-03-11

[3]

基于双层纳米硅结构的非挥发性浮栅存储器及制备方法 [P].

陈坤基 ;

吴良才 ;

王久敏 ;

余林蔚 ;

李伟 ;

徐骏 ;

丁宏林 ;

张贤高 ;

刘奎 ;

王祥 ;

徐岭 ;

黄信凡 .

中国专利 :CN101026194A ,2007-08-29

[4]

锗/硅复合纳米晶粒浮栅结构MOSFET存储器 [P].

施毅 ;

郑有炓 ;

顾书林 ;

吴军 ;

杨红官 ;

袁晓莉 ;

张荣 ;

韩平 ;

沈波 ;

胡立群 ;

江若琏 ;

朱顺明 .

中国专利 :CN1305232A ,2001-07-25

[5]

非挥发存储器的制备方法 [P].

朱晨昕 ;

贾锐 ;

李维龙 ;

陈晨 ;

李昊峰 ;

王琴 ;

刘明 .

中国专利 :CN101399209B ,2009-04-01

[6]

一种浮栅存储器的制备方法和浮栅存储器 [P].

何永 ;

冯骏 .

中国专利 :CN110838490A ,2020-02-25

[7]

非挥发存储器的制备方法 [P].

朱晨昕 ;

贾锐 ;

陈晨 ;

李维龙 ;

李昊峰 ;

王琴 ;

刘明 .

中国专利 :CN100583400C ,2009-04-01

[8]

浮栅存储器的制备方法及浮栅存储器 [P].

朱宝 ;

尹睿 ;

张卫 .

中国专利 :CN114284276A ,2022-04-05

[9]

金属浮栅存储器及其制造方法 [P].

顾珍 ;

张磊 ;

陈昊瑜 .

中国专利 :CN116209261B ,2025-11-07

[10]

基于纳米晶浮栅结构的多值非挥发性存储器的存储方法 [P].

王琴 ;

杨潇楠 ;

刘明 ;

王永 .

中国专利 :CN102117656A ,2011-07-06

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