锗/硅复合纳米晶粒浮栅结构MOSFET存储器

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN01108248.8

申请日：

2001-02-27

公开(公告)号：

CN1305232A

公开(公告)日：

2001-07-25

发明(设计)人：

施毅郑有炓顾书林吴军杨红官袁晓莉张荣韩平沈波胡立群江若琏朱顺明

申请人：

申请人地址：

210093江苏省南京市汉口路22号

IPC主分类号：

H01L29788

IPC分类号：

H01L27105

代理机构：

南京大学专利事务所

代理人：

陈建和

法律状态：

发明专利申请公布后的视为撤回

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2004-10-27	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回
2001-07-25	公开	公开

共 50 条

[1]

基于锗硅异质纳米结构的非挥发浮栅存储器及制备方法 [P].

施毅 ;

闾锦 ;

陈裕斌 ;

左正 ;

濮林 ;

张荣 ;

韩平 ;

顾书林 ;

郑有炓 .

中国专利 :CN101123277A ,2008-02-13

[2]

基于纳米异质结构的非挥发性浮栅存储器 [P].

施毅 ;

闾锦 ;

杨红官 ;

张荣 ;

濮林 ;

韩平 ;

顾书林 ;

朱顺明 ;

郑有炓 .

中国专利 :CN1870299A ,2006-11-29

[3]

一种复合存储介质浮栅存储器结构及其制作方法 [P].

刘明 ;

王永 ;

王琴 ;

杨潇楠 .

中国专利 :CN101814506A ,2010-08-25

[4]

纳米晶浮栅存储器及其制备方法 [P].

刘明 ;

金林 ;

霍宗亮 ;

刘璟 ;

张满红 ;

王琴 .

中国专利 :CN102610653A ,2012-07-25

[5]

浮栅存储器的制备方法及浮栅存储器 [P].

朱宝 ;

尹睿 ;

张卫 .

中国专利 :CN114284276A ,2022-04-05

[6]

一种浮栅存储器的制备方法和浮栅存储器 [P].

何永 ;

冯骏 .

中国专利 :CN110838490A ,2020-02-25

[7]

栅极结构及浮栅存储器 [P].

陈信旭 ;

黄宗彬 ;

杨文忠 .

中国专利 :CN120091619A ,2025-06-03

[8]

半浮栅存储器单元及半浮栅存储器阵列 [P].

刘伟 ;

刘磊 ;

王鹏飞 .

中国专利 :CN104979355B ,2015-10-14

[9]

半浮栅存储器的制造工艺及半浮栅存储器 [P].

张卫 ;

朱宝 ;

陈琳 ;

孙清清 .

中国专利 :CN112908999A ,2021-06-04

[10]

半浮栅存储器的制造方法及半浮栅存储器 [P].

张卫 ;

朱宝 ;

陈琳 ;

孙清清 .

中国专利 :CN112908998A ,2021-06-04

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