一种复合存储介质浮栅存储器结构及其制作方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200910078558.0

申请日：

2009-02-25

公开(公告)号：

CN101814506A

公开(公告)日：

2010-08-25

发明(设计)人：

刘明王永王琴杨潇楠

申请人：

申请人地址：

100029 北京市朝阳区北土城西路3号

IPC主分类号：

H01L27115

IPC分类号：

H01L218247 H01L29788 B82B100 B82B300 C23C1624

代理机构：

中科专利商标代理有限责任公司 11021

代理人：

周国城

法律状态：

公开

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2010-08-25	公开	公开
2012-04-18	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回号牌文件类型代码:1603 号牌文件序号:101329743282 IPC(主分类):H01L 27/115 专利申请号:2009100785580 公开日:20100825
2010-10-13	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101007483265 IPC(主分类):H01L 27/115 专利申请号:2009100785580 申请日:20090225

共 50 条

[1]

一种多层浮栅非易失性存储器结构及其制作方法 [P].

刘明 ;

王永 ;

王琴 ;

杨潇楠 .

中国专利 :CN101814505A ,2010-08-25

[2]

一种半浮栅存储器结构及其制作方法 [P].

康劲 ;

卜伟海 ;

王文博 .

中国专利 :CN104916639A ,2015-09-16

[3]

一种浮栅存储器的制备方法和浮栅存储器 [P].

何永 ;

冯骏 .

中国专利 :CN110838490A ,2020-02-25

[4]

多介质复合隧穿层的纳米晶浮栅存储器及其制作方法 [P].

胡媛 ;

刘明 ;

龙世兵 ;

杨清华 ;

管伟华 ;

李志刚 .

中国专利 :CN101383379A ,2009-03-11

[5]

一种闪存存储器的浮栅结构及制作方法 [P].

刘钊 ;

熊涛 ;

许毅胜 ;

舒清明 .

中国专利 :CN105789277A ,2016-07-20

[6]

浮栅存储器元件的制作方法 [P].

易亮 ;

任驰 ;

李志国 .

中国专利 :CN112038344A ,2020-12-04

[7]

锗/硅复合纳米晶粒浮栅结构MOSFET存储器 [P].

施毅 ;

郑有炓 ;

顾书林 ;

吴军 ;

杨红官 ;

袁晓莉 ;

张荣 ;

韩平 ;

沈波 ;

胡立群 ;

江若琏 ;

朱顺明 .

中国专利 :CN1305232A ,2001-07-25

[8]

存储器浮栅的制作方法 [P].

康小平 ;

张磊 ;

顾珍 ;

贺可强 ;

陈昊瑜 .

中国专利 :CN114999906A ,2022-09-02

[9]

一种浮栅型闪存存储器及其制作方法 [P].

蔡亚顺 ;

李亮 .

中国专利 :CN120957417A ,2025-11-14

[10]

半浮栅存储器及其制造方法和半浮栅存储器阵列 [P].

龚轶 ;

王鹏飞 ;

刘伟 ;

刘磊 .

中国专利 :CN104637945B ,2015-05-20

← 1 2 3 4 5 →