多介质复合隧穿层的纳米晶浮栅存储器及其制作方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200710121370.0

申请日：

2007-09-05

公开(公告)号：

CN101383379A

公开(公告)日：

2009-03-11

发明(设计)人：

胡媛刘明龙世兵杨清华管伟华李志刚

申请人：

申请人地址：

100029北京市朝阳区北土城西路3号

IPC主分类号：

H01L29788

IPC分类号：

H01L2951 H01L2949 H01L27115 H01L21336 H01L2128 H01L218247

代理机构：

中科专利商标代理有限责任公司

代理人：

周国城

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2009-03-11	公开	公开
2009-05-06	实质审查的生效	实质审查的生效
2010-08-04	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回号牌文件类型代码:1603 号牌文件序号:101003708536 IPC(主分类):H01L 29/788 专利申请号:2007101213700 公开日:20090311

共 50 条

[1]

双层隧穿介质结构的纳米晶浮栅非易失存储器及制作方法 [P].

胡媛 ;

刘明 ;

龙世兵 ;

杨清华 ;

管伟华 ;

李志刚 .

中国专利 :CN101399289A ,2009-04-01

[2]

利用高k介质和纳米晶浮栅的非易失存储器及其制作方法 [P].

胡媛 ;

刘明 ;

龙世兵 ;

杨清华 ;

管伟华 ;

李志刚 ;

刘琦 .

中国专利 :CN101312212A ,2008-11-26

[3]

纳米晶浮栅非易失存储器及其制作方法 [P].

刘明 ;

刘璟 ;

王琴 ;

胡媛 .

中国专利 :CN101807576A ,2010-08-18

[4]

存储器及其制作方法 [P].

刘明 ;

王琴 ;

胡媛 ;

郭婷婷 .

中国专利 :CN101494224A ,2009-07-29

[5]

纳米晶浮栅存储器及其制备方法 [P].

刘明 ;

金林 ;

霍宗亮 ;

刘璟 ;

张满红 ;

王琴 .

中国专利 :CN102610653A ,2012-07-25

[6]

复合隧穿介质层及其制作方法以及非易失性存储器 [P].

沈忆华 ;

宋化龙 .

中国专利 :CN102446963A ,2012-05-09

[7]

存储器及其制作方法 [P].

刘明 ;

王琴 ;

胡媛 ;

郭婷婷 .

中国专利 :CN101494225B ,2009-07-29

[8]

一种复合存储介质浮栅存储器结构及其制作方法 [P].

刘明 ;

王永 ;

王琴 ;

杨潇楠 .

中国专利 :CN101814506A ,2010-08-25

[9]

一种金属纳米晶浮栅非挥发性存储器及其制作方法 [P].

龙世兵 ;

刘明 ;

贾锐 ;

陈宝钦 ;

王琴 ;

涂德钰 ;

胡媛 ;

管伟华 ;

刘琦 ;

李维龙 ;

王永 ;

杨潇楠 ;

张森 .

中国专利 :CN101452963A ,2009-06-10

[10]

一种纳米晶浮栅结构的非挥发性存储单元及其制作方法 [P].

胡媛 ;

刘明 ;

龙世兵 ;

杨清华 ;

管伟华 ;

李志刚 ;

刘琦 .

中国专利 :CN101312213A ,2008-11-26

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