利用高k介质和纳米晶浮栅的非易失存储器及其制作方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200710099544.8

申请日：

2007-05-24

公开(公告)号：

CN101312212A

公开(公告)日：

2008-11-26

发明(设计)人：

胡媛刘明龙世兵杨清华管伟华李志刚刘琦

申请人：

申请人地址：

100029北京市朝阳区北土城西路3号

IPC主分类号：

H01L29788

IPC分类号：

H01L2949 H01L2951 H01L27115 H01L21336 H01L2128 H01L218247

代理机构：

中科专利商标代理有限责任公司

代理人：

周国城

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2009-01-21	实质审查的生效	实质审查的生效
2010-07-21	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回号牌文件类型代码:1603 号牌文件序号:101003312534 IPC(主分类):H01L 29/788 专利申请号:2007100995448 公开日:20081126
2008-11-26	公开	公开

共 50 条

[1]

纳米晶浮栅非易失存储器及其制作方法 [P].

刘明 ;

刘璟 ;

王琴 ;

胡媛 .

中国专利 :CN101807576A ,2010-08-18

[2]

双层隧穿介质结构的纳米晶浮栅非易失存储器及制作方法 [P].

胡媛 ;

刘明 ;

龙世兵 ;

杨清华 ;

管伟华 ;

李志刚 .

中国专利 :CN101399289A ,2009-04-01

[3]

多介质复合隧穿层的纳米晶浮栅存储器及其制作方法 [P].

胡媛 ;

刘明 ;

龙世兵 ;

杨清华 ;

管伟华 ;

李志刚 .

中国专利 :CN101383379A ,2009-03-11

[4]

一种金属纳米晶浮栅非挥发性存储器及其制作方法 [P].

龙世兵 ;

刘明 ;

贾锐 ;

陈宝钦 ;

王琴 ;

涂德钰 ;

胡媛 ;

管伟华 ;

刘琦 ;

李维龙 ;

王永 ;

杨潇楠 ;

张森 .

中国专利 :CN101452963A ,2009-06-10

[5]

一种纳米晶浮栅结构的非挥发性存储单元及其制作方法 [P].

胡媛 ;

刘明 ;

龙世兵 ;

杨清华 ;

管伟华 ;

李志刚 ;

刘琦 .

中国专利 :CN101312213A ,2008-11-26

[6]

纳米晶浮栅存储器及其制备方法 [P].

刘明 ;

金林 ;

霍宗亮 ;

刘璟 ;

张满红 ;

王琴 .

中国专利 :CN102610653A ,2012-07-25

[7]

一种电荷俘获型非易失存储器及其制作方法 [P].

王琴 ;

刘璟 ;

龙世兵 ;

刘明 .

中国专利 :CN102117810A ,2011-07-06

[8]

一种电荷俘获型非易失存储器及其制作方法 [P].

王琴 ;

刘璟 ;

龙世兵 ;

刘明 .

中国专利 :CN102117838A ,2011-07-06

[9]

非易失存储器和非易失存储器制造方法 [P].

儿玉典昭 ;

田康秀 ;

金森宏治 ;

藤枝信次 ;

铃木润一 ;

户田昭夫 ;

西坂祯一郎 .

中国专利 :CN1667830A ,2005-09-14

[10]

一种纳米晶浮栅非挥发性存储器及其制作方法 [P].

王琴 ;

贾锐 ;

李维龙 ;

龙世兵 ;

陈宝钦 ;

刘明 ;

叶甜春 .

中国专利 :CN101276841A ,2008-10-01

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