一种金属纳米晶浮栅非挥发性存储器及其制作方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200710178778.1

申请日：

2007-12-05

公开(公告)号：

CN101452963A

公开(公告)日：

2009-06-10

发明(设计)人：

龙世兵刘明贾锐陈宝钦王琴涂德钰胡媛管伟华刘琦李维龙王永杨潇楠张森

申请人：

申请人地址：

100029北京市朝阳区北土城西路3号

IPC主分类号：

H01L29788

IPC分类号：

H01L2949 H01L27115 H01L21336 H01L2128 H01L218247

代理机构：

中科专利商标代理有限责任公司

代理人：

周国城

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2009-06-10	公开	公开
2009-08-05	实质审查的生效	实质审查的生效
2011-01-19	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回号牌文件类型代码:1603 号牌文件序号:101063075506 IPC(主分类):H01L 29/788 专利申请号:2007101787781 公开日:20090610

共 50 条

[1]

一种纳米晶浮栅非挥发性存储器及其制作方法 [P].

王琴 ;

贾锐 ;

李维龙 ;

龙世兵 ;

陈宝钦 ;

刘明 ;

叶甜春 .

中国专利 :CN101276841A ,2008-10-01

[2]

一种基于应变硅的纳米晶非挥发性存储器及其制作方法 [P].

王琴 ;

杨潇楠 ;

刘明 ;

王永 .

中国专利 :CN102117812A ,2011-07-06

[3]

一种制作金属纳米晶非挥发性存储器的方法 [P].

管伟华 ;

刘明 ;

龙世兵 ;

李志刚 ;

胡媛 .

中国专利 :CN101330008A ,2008-12-24

[4]

多层纳米晶浮栅结构的非挥发性存储器及其制备方法 [P].

王琴 ;

管伟华 ;

刘琦 ;

胡媛 ;

李维龙 ;

龙世兵 ;

贾锐 ;

陈宝钦 ;

刘明 .

中国专利 :CN101383378A ,2009-03-11

[5]

一种纳米晶浮栅结构的非挥发性存储单元及其制作方法 [P].

胡媛 ;

刘明 ;

龙世兵 ;

杨清华 ;

管伟华 ;

李志刚 ;

刘琦 .

中国专利 :CN101312213A ,2008-11-26

[6]

纳米晶浮栅非易失存储器及其制作方法 [P].

刘明 ;

刘璟 ;

王琴 ;

胡媛 .

中国专利 :CN101807576A ,2010-08-18

[7]

非挥发性存储器及其制作方法 [P].

廖伟明 ;

张明成 ;

黄建章 .

中国专利 :CN101388363B ,2009-03-18

[8]

非挥发性存储器及其制作方法 [P].

陈辉煌 ;

陈志远 ;

王子嵩 .

中国专利 :CN104064522B ,2014-09-24

[9]

基于纳米晶浮栅结构的多值非挥发性存储器的存储方法 [P].

王琴 ;

杨潇楠 ;

刘明 ;

王永 .

中国专利 :CN102117656A ,2011-07-06

[10]

差分浮栅非挥发性存储器 [P].

查德·A·林霍斯特 ;

克里斯托弗·J·迪奥里奥 ;

特洛伊·N·吉利兰 ;

阿尔贝托·佩萨文托 ;

沙伊尔·斯利尼瓦斯 ;

马彦军 ;

特里·哈斯 ;

卡姆比兹·拉希米 .

中国专利 :CN1679110A ,2005-10-05

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