纳米晶浮栅非易失存储器及其制作方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200910077724.5

申请日：

2009-02-13

公开(公告)号：

CN101807576A

公开(公告)日：

2010-08-18

发明(设计)人：

刘明刘璟王琴胡媛

申请人：

申请人地址：

100029 北京市朝阳区北土城西路3号

IPC主分类号：

H01L27115

IPC分类号：

H01L218247 H01L29788 C23C1434 B82B100 B82B300

代理机构：

中科专利商标代理有限责任公司 11021

代理人：

周国城

法律状态：

发明专利申请公布后的视为撤回

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2012-05-30	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回号牌文件类型代码:1603 号牌文件序号:101362728754 IPC(主分类):H01L 27/115 专利申请号:2009100777245 公开日:20100818
2010-08-18	公开	公开
2010-10-06	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101006684726 IPC(主分类):H01L 27/115 专利申请号:2009100777245 申请日:20090213

共 50 条

[1]

利用高k介质和纳米晶浮栅的非易失存储器及其制作方法 [P].

胡媛 ;

刘明 ;

龙世兵 ;

杨清华 ;

管伟华 ;

李志刚 ;

刘琦 .

中国专利 :CN101312212A ,2008-11-26

[2]

双层隧穿介质结构的纳米晶浮栅非易失存储器及制作方法 [P].

胡媛 ;

刘明 ;

龙世兵 ;

杨清华 ;

管伟华 ;

李志刚 .

中国专利 :CN101399289A ,2009-04-01

[3]

一种电荷俘获型非易失存储器及其制作方法 [P].

王琴 ;

刘璟 ;

龙世兵 ;

刘明 .

中国专利 :CN102117810A ,2011-07-06

[4]

一种电荷俘获型非易失存储器及其制作方法 [P].

王琴 ;

刘璟 ;

龙世兵 ;

刘明 .

中国专利 :CN102117838A ,2011-07-06

[5]

多介质复合隧穿层的纳米晶浮栅存储器及其制作方法 [P].

胡媛 ;

刘明 ;

龙世兵 ;

杨清华 ;

管伟华 ;

李志刚 .

中国专利 :CN101383379A ,2009-03-11

[6]

存储器及其制作方法 [P].

刘明 ;

王琴 ;

胡媛 ;

郭婷婷 .

中国专利 :CN101494225B ,2009-07-29

[7]

纳米晶浮栅存储器及其制备方法 [P].

刘明 ;

金林 ;

霍宗亮 ;

刘璟 ;

张满红 ;

王琴 .

中国专利 :CN102610653A ,2012-07-25

[8]

一种金属纳米晶浮栅非挥发性存储器及其制作方法 [P].

龙世兵 ;

刘明 ;

贾锐 ;

陈宝钦 ;

王琴 ;

涂德钰 ;

胡媛 ;

管伟华 ;

刘琦 ;

李维龙 ;

王永 ;

杨潇楠 ;

张森 .

中国专利 :CN101452963A ,2009-06-10

[9]

存储器及其制作方法 [P].

刘明 ;

王琴 ;

胡媛 ;

郭婷婷 .

中国专利 :CN101494224A ,2009-07-29

[10]

一种纳米晶浮栅非挥发性存储器及其制作方法 [P].

王琴 ;

贾锐 ;

李维龙 ;

龙世兵 ;

陈宝钦 ;

刘明 ;

叶甜春 .

中国专利 :CN101276841A ,2008-10-01

← 1 2 3 4 5 →