存储器及其制作方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200910078247.4

申请日：

2009-02-23

公开(公告)号：

CN101494224A

公开(公告)日：

2009-07-29

发明(设计)人：

刘明王琴胡媛郭婷婷

申请人：

申请人地址：

100029北京市朝阳区北土城西路3号中科院微电子所

IPC主分类号：

H01L27105

IPC分类号：

H01L29788 H01L218239 H01L21336

代理机构：

北京市德权律师事务所

代理人：

王建国

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2009-07-29	公开	公开
2009-09-23	实质审查的生效	实质审查的生效
2011-03-23	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回号牌文件类型代码:1603 号牌文件序号:101075511477 IPC(主分类):H01L 27/105 专利申请号:2009100782474 公开日:20090729

共 50 条

[1]

存储器及其制作方法 [P].

刘明 ;

王琴 ;

胡媛 ;

郭婷婷 .

中国专利 :CN101494225B ,2009-07-29

[2]

多介质复合隧穿层的纳米晶浮栅存储器及其制作方法 [P].

胡媛 ;

刘明 ;

龙世兵 ;

杨清华 ;

管伟华 ;

李志刚 .

中国专利 :CN101383379A ,2009-03-11

[3]

利用高k介质和纳米晶浮栅的非易失存储器及其制作方法 [P].

胡媛 ;

刘明 ;

龙世兵 ;

杨清华 ;

管伟华 ;

李志刚 ;

刘琦 .

中国专利 :CN101312212A ,2008-11-26

[4]

纳米晶浮栅非易失存储器及其制作方法 [P].

刘明 ;

刘璟 ;

王琴 ;

胡媛 .

中国专利 :CN101807576A ,2010-08-18

[5]

存储器及其制作方法 [P].

王序扬 ;

徐秉诚 ;

邹世芳 ;

林金隆 ;

李易修 ;

谷口浩二 ;

王函隽 ;

蔡综颖 .

中国专利 :CN109935588B ,2019-06-25

[6]

双层隧穿介质结构的纳米晶浮栅非易失存储器及制作方法 [P].

胡媛 ;

刘明 ;

龙世兵 ;

杨清华 ;

管伟华 ;

李志刚 .

中国专利 :CN101399289A ,2009-04-01

[7]

一种电荷俘获型非易失存储器及其制作方法 [P].

王琴 ;

刘璟 ;

龙世兵 ;

刘明 .

中国专利 :CN102117810A ,2011-07-06

[8]

一种电荷俘获型非易失存储器及其制作方法 [P].

王琴 ;

刘璟 ;

龙世兵 ;

刘明 .

中国专利 :CN102117838A ,2011-07-06

[9]

存储器及其制作方法 [P].

占康澍 ;

夏军 ;

宛强 ;

刘涛 ;

李森 .

中国专利 :CN114695268A ,2022-07-01

[10]

存储器及其制作方法 [P].

刘志拯 .

中国专利 :CN116113237B ,2024-11-15

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