高纯钽中痕量杂质的测定方法

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN201010597964.0
申请日
2010-12-21
公开(公告)号
CN102565206B
公开(公告)日
2012-07-11
发明(设计)人
李艳芬 童坚 刘英 张卓 佟伶 李满芝
申请人
申请人地址
100088 北京市西城区新街口外大街2号
IPC主分类号
G01N3002
IPC分类号
G01N3086
代理机构
北京北新智诚知识产权代理有限公司 11100
代理人
耿小强
法律状态
授权
国省代码
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共 50 条
[1]
一种高纯钽中杂质含量测定方法 [P]. 
巩琛 ;
赵华 ;
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[2]
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[3]
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[6]
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罗中旭 ;
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尹国文 ;
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吴王昌 ;
刘文君 ;
朱知国 ;
谢天敏 ;
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[7]
一种高纯二氧化硅中痕量杂质元素的测定方法 [P]. 
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[8]
酰氯化分离/ICP‑MS法测定高纯铬中痕量杂质元素含量的方法 [P]. 
王金磊 ;
李波 ;
钱军民 ;
罗琳 ;
孙宝莲 ;
刘雷雷 ;
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中国专利 :CN106596700A ,2017-04-26
[9]
ICP-MS测定高纯石英中杂质元素含量的方法 [P]. 
王小强 ;
颜蕙园 ;
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[10]
用于分析多种高纯气体中微量或痕量杂质的方法 [P]. 
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中国专利 :CN119165106A ,2024-12-20