保护元件和具有该保护元件的半导体器件

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201110451216.6

申请日：

2011-12-29

公开(公告)号：

CN102593176A

公开(公告)日：

2012-07-18

发明(设计)人：

巽孝明

申请人：

申请人地址：

日本东京

IPC主分类号：

H01L2978

IPC分类号：

H01L2702 H02H904

代理机构：

北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290

代理人：

武玉琴;陈桂香

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2013-12-11	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101551130130 IPC(主分类):H01L 29/78 专利申请号:2011104512166 申请日:20111229
2016-07-27	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101736480262 IPC(主分类):H01L 29/78 专利申请号:2011104512166 申请公布日:20120718
2012-07-18	公开	公开

共 50 条

[1]

用于半导体元件的保护材料、设有该保护材料的半导体元件和设有该半导体元件的半导体器件 [P].

盐冢秀则 ;

森隆弘 ;

片冈一郎 ;

山田聪 ;

小森绫子 .

中国专利 :CN1158880A ,1997-09-10

[2]

保护元件及使用保护元件的半导体装置 [P].

浅野哲郎 .

中国专利 :CN100505260C ,2006-05-03

[3]

半导体保护元件、半导体器件及其制造方法 [P].

入野仁 .

中国专利 :CN1531083A ,2004-09-22

[4]

半导体元件和包括该半导体元件的半导体元件封装 [P].

成演准 ;

李容京 ;

金珉成 ;

朴修益 .

中国专利 :CN109997234B ,2019-07-09

[5]

半导体元件和半导体元件的制造方法 [P].

西村武义 .

中国专利 :CN106449638A ,2017-02-22

[6]

半导体元件及其制造方法、以及包括该半导体元件的电子器件 [P].

浦山雅夫 ;

川崎雅司 ;

大野英男 .

中国专利 :CN101632179B ,2010-01-20

[7]

半导体存储元件，半导体器件，电子设备，以及半导体存储元件的制造方法 [P].

塚本雅则 .

中国专利 :CN108701655A ,2018-10-23

[8]

具有保护电路的半导体元件 [P].

曹斯钧 .

中国专利 :CN106301344B ,2017-01-04

[9]

半导体元件和用于制造半导体元件的方法 [P].

甘利浩一 .

中国专利 :CN102130171B ,2011-07-20

[10]

静电保护元件以及半导体装置 [P].

东真砂彦 ;

望月麻理惠 .

中国专利 :CN114335136A ,2022-04-12

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