一种改善硅抛光片表面粗糙度的抛光方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201911280083.3

申请日：

2019-12-12

公开(公告)号：

CN112975578B

公开(公告)日：

2021-06-18

发明(设计)人：

路一辰李俊峰潘紫龙王玥王新

申请人：

申请人地址：

101300 北京市顺义区林河工业开发区双河路南侧

IPC主分类号：

B24B100

IPC分类号：

H01L21306

代理机构：

北京北新智诚知识产权代理有限公司 11100

代理人：

刘秀青

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-06-18	公开	公开
2021-07-09	著录事项变更	著录事项变更 IPC(主分类):B24B 1/00 变更事项:申请人变更前:有研半导体材料有限公司变更后:有研半导体硅材料股份公司变更事项:地址变更前:101300 北京市顺义区林河工业开发区双河路南侧变更后:101300 北京市顺义区林河工业开发区双河路南侧
2022-06-24	授权	授权
2021-07-06	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):B24B 1/00 申请日:20191212

共 50 条

[1]

一种低粗糙度硅抛光片的加工方法 [P].

李继光 ;

顾凯峰 .

中国专利 :CN101352829B ,2009-01-28

[2]

一种降低8英寸硅抛光片表面粗糙度的抛光工艺 [P].

石明 ;

王广勇 ;

吴镐硕 ;

刘秒 ;

吕莹 ;

徐荣清 .

中国专利 :CN109500663A ,2019-03-22

[3]

一种降低硅抛光片表面粗糙度的加工方法 [P].

史训达 .

中国专利 :CN108242396B ,2018-07-03

[4]

一种IC级重掺砷硅抛光片表面粗糙度的控制方法 [P].

袁泽山 ;

郝美功 ;

詹玉峰 .

中国专利 :CN103042463A ,2013-04-17

[5]

一种改善硅片表面粗糙度的抛光工艺 [P].

卞梁 ;

潘连胜 ;

何翠翠 .

中国专利 :CN114055256A ,2022-02-18

[6]

硅抛光片的微粗糙度与氧化膜厚精确控制方法 [P].

王鸣 .

中国专利 :CN118571747A ,2024-08-30

[7]

非接触式扫描抛光片表面粗糙度的检测设备和检测方法 [P].

吕莹 ;

崔宝柱 ;

罗翀 ;

张俊生 ;

孙晨光 .

中国专利 :CN104332426A ,2015-02-04

[8]

一种改善硅抛光片平整度的方法 [P].

石明 ;

李诺 ;

武卫 ;

孙晨光 ;

王聚安 ;

王彦君 .

中国专利 :CN111230605A ,2020-06-05

[9]

低表面粗糙度的抛光垫 [P].

J.奈尔 .

中国专利 :CN105163907B ,2015-12-16

[10]

具有表面粗糙度的抛光垫 [P].

蒂莫西·J·多诺休 .

中国专利 :CN101500756A ,2009-08-05

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