一种GaN基异质结构纳米线及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202011178864.4

申请日：

2020-10-29

公开(公告)号：

CN112002632A

公开(公告)日：

2020-11-27

发明(设计)人：

仇志军叶怀宇张国旗

申请人：

申请人地址：

518055 广东省深圳市龙华区观光路1310号

IPC主分类号：

H01L2102

IPC分类号：

H01L213065 H01L21335 H01L2906 H01L2920 H01L29775 B82Y1000 B82Y3000 B82Y4000

代理机构：

北京华创智道知识产权代理事务所(普通合伙) 11888

代理人：

彭随丽

法律状态：

发明专利申请公布后的驳回

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-10-29	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):H01L 21/02 申请公布日:20201127
2020-12-15	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/02 申请日:20201029
2020-11-27	公开	公开

共 50 条

[1]

ZnO/GaN异质结纳米线光开关及其制备方法 [P].

刘志强 ;

程成 ;

伊晓燕 ;

张勇 ;

王军喜 ;

李晋闽 .

中国专利 :CN109524490B ,2019-03-26

[2]

一种GaN纳米线及其制备方法 [P].

张佰君 ;

陈伟杰 ;

林佳利 .

中国专利 :CN104766910B ,2015-07-08

[3]

一种核壳结构AlGaN/GaN异质结纳米线基晶体管及其制备方法 [P].

李述体 ;

杨玉青 ;

高芳亮 ;

王幸福 ;

刘青 .

中国专利 :CN111969056A ,2020-11-20

[4]

GaN纳米线的制备方法和GaN纳米线 [P].

刘志强 ;

闫岩 ;

张硕 ;

伊晓燕 ;

王军喜 ;

李晋闽 .

中国专利 :CN115369379A ,2022-11-22

[5]

GaN纳米线的制备方法和GaN纳米线 [P].

刘志强 ;

闫岩 ;

张硕 ;

伊晓燕 ;

王军喜 ;

李晋闽 .

中国专利 :CN115369379B ,2024-05-03

[6]

一种单晶GaN纳米线及其制备方法 [P].

王幸福 ;

姜健 ;

董建奇 .

中国专利 :CN110067022A ,2019-07-30

[7]

一种制备GaN纳米线的方法 [P].

李恩玲 ;

戴元滨 ;

朱红 ;

侯利平 ;

王喜强 .

中国专利 :CN101863458A ,2010-10-20

[8]

异质纳米线制备方法 [P].

黄辉 ;

任晓敏 ;

叶显 ;

郭经纬 ;

蔡世伟 ;

黄永清 ;

王琦 .

中国专利 :CN102050426A ,2011-05-11

[9]

一种Mg掺杂GaN纳米线结构的制备方法 [P].

王如志 ;

杨孟骐 ;

梁琦 ;

严辉 ;

张铭 ;

王波 ;

王长昊 .

中国专利 :CN111206236B ,2020-05-29

[10]

一种GaN水平纳米线电子器件制备方法 [P].

何苗 ;

王志成 ;

丛海云 ;

郑树文 .

中国专利 :CN107195586A ,2017-09-22

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