低电压带隙基准源的安全启动电路

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200810043689.0

申请日：

2008-08-06

公开(公告)号：

CN101644938A

公开(公告)日：

2010-02-10

发明(设计)人：

何剑华李兆桂

申请人：

申请人地址：

201206上海市浦东新区川桥路1188号

IPC主分类号：

G05F316

IPC分类号：

H03K17687

代理机构：

上海浦一知识产权代理有限公司

代理人：

丁纪铁

法律状态：

专利申请权、专利权的转移

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2014-01-08	专利申请权、专利权的转移	专利权的转移号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101684891895 IPC(主分类):G05F 3/16 专利号:ZL2008100436890 变更事项:专利权人变更前权利人:上海华虹NEC电子有限公司变更后权利人:上海华虹宏力半导体制造有限公司变更事项:地址变更前权利人:201206 上海市浦东新区川桥路1188号变更后权利人:201203 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号登记生效日:20131216
2010-04-14	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101000899606 IPC(主分类):G05F 3/16 专利申请号:2008100436890 申请日:20080806
2010-02-10	公开	公开
2011-12-14	授权	授权

共 50 条

[1]

低电压带隙基准源电路 [P].

李天望 ;

姜黎 ;

袁涛 ;

万鹏 .

中国专利 :CN107390758B ,2017-11-24

[2]

低电压带隙基准电压源 [P].

叶春 .

中国专利 :CN203232347U ,2013-10-09

[3]

一种低电压带隙基准源产生电路 [P].

汤华莲 ;

庄奕琪 ;

胡滨 ;

赵辉 ;

李勇强 .

中国专利 :CN102385412B ,2012-03-21

[4]

带隙基准源的启动电路 [P].

唐成伟 .

中国专利 :CN103135655A ,2013-06-05

[5]

低电压带隙参考电路 [P].

P·卡丹卡 .

中国专利 :CN108628382A ,2018-10-09

[6]

低电压带隙参考电路 [P].

崔河琳 ;

申京旻 ;

安容星 .

韩国专利 :CN118092559A ,2024-05-28

[7]

带隙基准源的启动电路 [P].

唐成伟 .

中国专利 :CN103809648B ,2014-05-21

[8]

带隙基准源的启动电路、带隙基准源以及启动方法 [P].

武世明 ;

刘程斌 .

中国专利 :CN110703841B ,2020-01-17

[9]

低压带隙基准源电路 [P].

廖永波 ;

王彦虎 .

中国专利 :CN103645769B ,2014-03-19

[10]

应用于带隙基准电压源的加速启动电路及带隙基准电压源 [P].

王梓 ;

李兆佳 .

中国专利 :CN102541147B ,2012-07-04

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