低电压带隙基准源电路

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201710668441.2

申请日：

2017-08-07

公开(公告)号：

CN107390758B

公开(公告)日：

2017-11-24

发明(设计)人：

李天望姜黎袁涛万鹏

申请人：

申请人地址：

410125 湖南省长沙市长沙经济技术开发区泉塘街道东十路南段9号

IPC主分类号：

G05F156

IPC分类号：

代理机构：

长沙市阿凡提知识产权代理有限公司 43216

代理人：

刘伟

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2017-12-22	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):G05F 1/56 申请日:20170807
2021-02-02	专利实施许可合同备案的生效、变更及注销	专利实施许可合同备案的生效 IPC(主分类):G05F 1/56 合同备案号:X2021430000001 让与人:湖南国科微电子股份有限公司受让人:山东产研信息与人工智能融合研究院有限公司发明名称:低电压带隙基准源电路申请日:20170807 申请公布日:20171124 授权公告日:20190205 许可种类:普通许可备案日期:20210115
2019-02-05	授权	授权
2017-11-24	公开	公开

共 50 条

[1]

低电压带隙基准电压源 [P].

叶春 .

中国专利 :CN203232347U ,2013-10-09

[2]

一种低电压带隙基准源产生电路 [P].

汤华莲 ;

庄奕琪 ;

胡滨 ;

赵辉 ;

李勇强 .

中国专利 :CN102385412B ,2012-03-21

[3]

低电压带隙基准源的安全启动电路 [P].

何剑华 ;

李兆桂 .

中国专利 :CN101644938A ,2010-02-10

[4]

低电压带隙参考电路 [P].

P·卡丹卡 .

中国专利 :CN108628382A ,2018-10-09

[5]

低电压带隙参考电路 [P].

崔河琳 ;

申京旻 ;

安容星 .

韩国专利 :CN118092559A ,2024-05-28

[6]

低压带隙基准源电路 [P].

廖永波 ;

王彦虎 .

中国专利 :CN103645769B ,2014-03-19

[7]

低电压CMOS带隙基准电压源 [P].

范涛 ;

袁国顺 .

中国专利 :CN101630176B ,2010-01-20

[8]

工作在亚阈区高精度低功耗低电压带隙基准源 [P].

吴晨健 ;

戴晶星 .

中国专利 :CN107015595A ,2017-08-04

[9]

带隙基准电压稳定的基准源电路 [P].

漆星宇 ;

刘焕双 ;

高金潇 ;

王赛 ;

李肖飞 ;

刘树钰 ;

郑宗源 ;

张明 ;

王新安 .

中国专利 :CN216486172U ,2022-05-10

[10]

工作在亚阈区高精度低功耗低电压带隙基准源 [P].

吴晨健 ;

戴晶星 .

中国专利 :CN207704306U ,2018-08-07

← 1 2 3 4 5 →