低电压带隙参考电路

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN202311594782.1
申请日
2023-11-27
公开(公告)号
CN118092559A
公开(公告)日
2024-05-28
发明(设计)人
崔河琳 申京旻 安容星
申请人
LX半导体科技有限公司
申请人地址
韩国大田广域市
IPC主分类号
G05F1/56
IPC分类号
代理机构
北京三友知识产权代理有限公司 11127
代理人
韩香花
法律状态
公开
国省代码
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共 50 条
[1]
低电压带隙参考电路 [P]. 
P·卡丹卡 .
中国专利 :CN108628382A ,2018-10-09
[2]
低电压能隙参考电路 [P]. 
张竟宏 ;
郭圳龙 ;
吴清堂 ;
吴忠政 ;
郑仲皓 .
中国专利 :CN103885519B ,2014-06-25
[3]
低电压能带隙参考电路 [P]. 
杨智勋 .
中国专利 :CN101770249B ,2010-07-07
[4]
低电压带隙基准源电路 [P]. 
李天望 ;
姜黎 ;
袁涛 ;
万鹏 .
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[5]
低供电电压带隙参考电路及方法 [P]. 
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沈乐丰 .
中国专利 :CN103353782A ,2013-10-16
[6]
带隙基准电压参考电路 [P]. 
王晗 ;
叶青 .
中国专利 :CN101470458B ,2009-07-01
[7]
能隙电压参考电路 [P]. 
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[8]
超低电压次带隙电压参考产生器 [P]. 
谢祯辉 .
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[9]
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[10]
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李兆桂 .
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