半导体器件

被引：0

专利类型：

实用新型

申请号：

CN201420301628.0

申请日：

2014-06-09

公开(公告)号：

CN204011430U

公开(公告)日：

2014-12-10

发明(设计)人：

H-J.舒尔策 F.普菲尔施 H.许斯肯

申请人：

申请人地址：

德国瑙伊比贝尔格市坎芘昂1－12号

IPC主分类号：

H01L29739

IPC分类号：

H01L2906

代理机构：

中国专利代理(香港)有限公司 72001

代理人：

王岳;卢江

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2014-12-10	授权	授权

共 50 条

[1]

功率半导体器件 [P].

H-J.舒尔策 ;

F.普菲尔施 ;

H.许斯肯 .

中国专利 :CN204011431U ,2014-12-10

[2]

功率半导体器件 [P].

H-J·舒尔策 ;

F·普菲尔施 ;

H·许斯肯 .

中国专利 :CN204130542U ,2015-01-28

[3]

功率半导体器件 [P].

H-J.舒尔策 ;

F.普菲尔施 ;

H.许斯肯 .

中国专利 :CN204011429U ,2014-12-10

[4]

功率半导体器件 [P].

H-J.舒尔策 ;

F.普菲尔施 ;

H.许斯肯 .

中国专利 :CN204011433U ,2014-12-10

[5]

功率半导体器件 [P].

H-J.舒尔策 ;

F.普菲尔施 ;

H.许斯肯 .

中国专利 :CN204011432U ,2014-12-10

[6]

功率半导体器件 [P].

H-J·舒尔策 ;

F·普菲尔施 ;

H·许斯肯 .

中国专利 :CN204067367U ,2014-12-31

[7]

半导体器件 [P].

陈兆同 ;

何昌 ;

史波 ;

曾丹 .

中国专利 :CN209199944U ,2019-08-02

[8]

半导体器件 [P].

冈垣健 .

中国专利 :CN205645809U ,2016-10-12

[9]

半导体器件 [P].

M·加耶夫斯基 ;

G·西敏 ;

M·S·沙塔拉维 ;

A·杜博尔因斯基 ;

M·舒尔 ;

R·格斯卡 .

中国专利 :CN205845936U ,2016-12-28

[10]

半导体器件 [P].

林坤彬 ;

杨美佳 ;

毕京锋 ;

李森林 .

中国专利 :CN222233639U ,2024-12-24

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