一种MEMS气体传感器及其制造方法

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申请号
CN202210774283.X
申请日
2022-07-01
公开(公告)号
CN115015334A
公开(公告)日
2022-09-06
发明(设计)人
陈学志 杨云春 陆原
申请人
申请人地址
100176 北京市大兴区北京经济技术开发区科创十四街99号33幢D栋二层2208号(集中办公区)
IPC主分类号
G01N2712
IPC分类号
B81C100 B81B702
代理机构
北京众达德权知识产权代理有限公司 11570
代理人
查薇
法律状态
公开
国省代码
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共 50 条
[1]
MEMS气体传感器 [P]. 
艾治州 ;
王东升 ;
张小辛 .
中国专利 :CN216870437U ,2022-07-01
[2]
MEMS气体传感器 [P]. 
艾治州 ;
王东升 ;
张小辛 .
中国专利 :CN216870441U ,2022-07-01
[3]
MEMS气体传感器及MEMS气体传感器的制造方法 [P]. 
木村哲平 ;
铃木弘明 ;
寺泽和雄 .
中国专利 :CN112805557A ,2021-05-14
[4]
一种MEMS气体传感器及其阵列、制备方法 [P]. 
许磊 ;
谢东成 ;
陈栋梁 .
中国专利 :CN111272828B ,2020-06-12
[5]
一种MEMS气体传感器及其加工方法 [P]. 
任青颖 ;
柳俊文 ;
史晓晶 ;
胡引引 .
中国专利 :CN117401646B ,2024-02-09
[6]
一种MEMS气体传感器及其加工方法 [P]. 
任青颖 ;
柳俊文 ;
史晓晶 ;
胡引引 .
中国专利 :CN117401646A ,2024-01-16
[7]
一种MEMS气体传感器及其制备方法 [P]. 
赵宇鑫 .
中国专利 :CN121231572A ,2025-12-30
[8]
MEMS气体传感器 [P]. 
张绍达 ;
高胜国 ;
钟克创 ;
古瑞琴 .
中国专利 :CN204694669U ,2015-10-07
[9]
基于晶圆级封装的MEMS气体传感器及其制造方法 [P]. 
王琛 ;
张思勉 ;
邓晓楠 ;
柯声贤 ;
李正操 .
中国专利 :CN114894856B ,2024-04-23
[10]
基于晶圆级封装的MEMS气体传感器及其制造方法 [P]. 
王琛 ;
张思勉 ;
邓晓楠 ;
柯声贤 ;
李正操 .
中国专利 :CN114894856A ,2022-08-12