绝缘体上半导体装置和方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN03800457.7

申请日：

2003-07-31

公开(公告)号：

CN100550322C

公开(公告)日：

2005-10-05

发明(设计)人：

贝恩-叶海·吉恩礼萨·阿尔加瓦尼罗伯特·周

申请人：

申请人地址：

美国加利福尼亚州

IPC主分类号：

H01L21316

IPC分类号：

H01L21762

代理机构：

永新专利商标代理有限公司

代理人：

王英

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2009-10-14	授权	授权
2018-08-17	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 21/316 申请日:20030731 授权公告日:20091014 终止日期:20170731
2005-11-30	实质审查的生效	实质审查的生效
2005-10-05	公开	公开

共 50 条

[1]

绝缘体上半导体衬底及其制造方法 [P].

薛广杰 .

中国专利 :CN115188704B ,2024-11-12

[2]

应变绝缘体上半导体结构以及应变绝缘体上半导体结构的制造方法 [P].

K·P·加德卡尔 ;

M·J·德杰纳卡 ;

L·R·平克尼 ;

B·G·艾特肯 .

中国专利 :CN101044620A ,2007-09-26

[3]

绝缘体上半导体(SOI)结构及其制造方法 [P].

A·I·舒 ;

J·W·斯雷特 ;

W·亨施 ;

古川俊治 ;

任志斌 ;

D·V·辛格 .

中国专利 :CN101106141A ,2008-01-16

[4]

绝缘体上半导体结构的制造方法 [P].

黄河 ;

丁敬秀 ;

向阳辉 .

中国专利 :CN113889431A ,2022-01-04

[5]

形成绝缘体上半导体衬底的方法 [P].

陈祈铭 ;

陈逸群 ;

蔡嘉雄 .

中国专利 :CN115497868A ,2022-12-20

[6]

绝缘体上半导体器件及其制造方法 [P].

胡金节 .

中国专利 :CN111146278B ,2020-05-12

[7]

绝缘体上半导体结构以及制备方法 [P].

王敬 ;

孙川川 ;

梁仁荣 ;

许军 .

中国专利 :CN106409750A ,2017-02-15

[8]

制造绝缘体上半导体结构的方法 [P].

奥列格·科农丘克 .

中国专利 :CN101548369B ,2009-09-30

[9]

绝缘体上半导体结构的制造方法 [P].

黄河 ;

丁敬秀 ;

向阳辉 .

中国专利 :CN113889432B ,2025-11-21

[10]

绝缘体上半导体结构以及制备方法 [P].

王敬 ;

孙川川 ;

梁仁荣 ;

许军 .

中国专利 :CN106449369B ,2017-02-22

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