高压器件及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201210230668.6

申请日：

2012-07-05

公开(公告)号：

CN103208523B

公开(公告)日：

2013-07-17

发明(设计)人：

唐纳德R.迪斯尼欧力杰.米力克易坤

申请人：

申请人地址：

611731 四川省成都市高新西区科新路8号

IPC主分类号：

H01L2978

IPC分类号：

H01L29423 H01L21336

代理机构：

代理人：

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2013-07-17	公开	公开
2016-11-30	授权	授权
2013-08-14	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101506926635 IPC(主分类):H01L 29/78 专利申请号:2012102306686 申请日:20120705

共 50 条

[1]

横向高压器件及其制造方法 [P].

唐纳徳·迪斯尼 ;

欧力杰·米力克 .

中国专利 :CN102751330A ,2012-10-24

[2]

横向高压器件及其制造方法 [P].

乔明 ;

代刚 ;

王裕如 ;

周锌 ;

何逸涛 ;

张波 .

中国专利 :CN105070754A ,2015-11-18

[3]

横向高压器件及其制造方法 [P].

乔明 ;

王裕如 ;

代刚 ;

周锌 ;

何逸涛 ;

张波 .

中国专利 :CN105161538A ,2015-12-16

[4]

高压器件 [P].

唐纳徳R.迪斯尼 ;

欧力杰.米力克 ;

易坤 .

中国专利 :CN203325912U ,2013-12-04

[5]

高压半导体器件及其制造方法 [P].

胡林辉 ;

吴健 ;

刘先锋 .

中国专利 :CN101916775A ,2010-12-15

[6]

高压LDMOS器件及其制造方法 [P].

张帅 ;

刘坤 ;

董科 .

中国专利 :CN102610641B ,2012-07-25

[7]

横向高压器件及其制造方法 [P].

袁章亦安 .

中国专利 :CN118763109A ,2024-10-11

[8]

一种横向高压器件及其制造方法 [P].

乔明 ;

李燕妃 ;

周锌 ;

许琬 ;

吴文杰 ;

陈涛 ;

胡利志 ;

张波 .

中国专利 :CN103413831A ,2013-11-27

[9]

高压功率LDMOS器件及其制造方法 [P].

吴孝嘉 ;

张森 ;

朱坤峰 .

中国专利 :CN102723353B ,2012-10-10

[10]

高压半导体器件及其制造方法 [P].

王仲盛 ;

王文智 ;

蒯照 .

中国专利 :CN119133250A ,2024-12-13

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