高压器件

被引:0
专利类型
实用新型
申请号
CN201220322268.3
申请日
2012-07-05
公开(公告)号
CN203325912U
公开(公告)日
2013-12-04
发明(设计)人
唐纳徳R.迪斯尼 欧力杰.米力克 易坤
申请人
申请人地址
611731 四川省成都市高新西区出口加工区(西区)科新路8号
IPC主分类号
H01L2978
IPC分类号
H01L29423
代理机构
代理人
法律状态
授权
国省代码
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共 50 条
[1]
高压器件及其制造方法 [P]. 
唐纳德R.迪斯尼 ;
欧力杰.米力克 ;
易坤 .
中国专利 :CN103208523B ,2013-07-17
[2]
横向高压器件及其制造方法 [P]. 
唐纳徳·迪斯尼 ;
欧力杰·米力克 .
中国专利 :CN102751330A ,2012-10-24
[3]
高压BCD工艺中高压器件的隔离结构 [P]. 
闻永祥 ;
张邵华 ;
江宇雷 ;
孙样慧 ;
俞国强 .
中国专利 :CN202616219U ,2012-12-19
[4]
半导体器件、高压器件和形成高压器件的方法 [P]. 
林明正 ;
吴成堡 ;
蔡俊琳 ;
吴浩昀 .
中国专利 :CN110970423B ,2020-04-07
[5]
耐高压器件 [P]. 
张明志 ;
沈礼福 ;
廖兵 .
中国专利 :CN222546339U ,2025-02-28
[6]
高压DMOS器件 [P]. 
钱文生 .
中国专利 :CN102044562A ,2011-05-04
[7]
SOI高压器件 [P]. 
方健 ;
周贤达 ;
张波 ;
乔明 .
中国专利 :CN101179097A ,2008-05-14
[8]
高压器件结构 [P]. 
田志 ;
陈国鹏 ;
陈昊瑜 ;
邵华 .
中国专利 :CN119403200A ,2025-02-07
[9]
高压LDMOS器件 [P]. 
毛焜 .
中国专利 :CN206179871U ,2017-05-17
[10]
高压器件结构 [P]. 
田志 ;
陈国鹏 ;
陈昊瑜 ;
邵华 .
中国专利 :CN119403200B ,2025-09-26