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高压器件
被引:0
专利类型
:
实用新型
申请号
:
CN201220322268.3
申请日
:
2012-07-05
公开(公告)号
:
CN203325912U
公开(公告)日
:
2013-12-04
发明(设计)人
:
唐纳徳R.迪斯尼
欧力杰.米力克
易坤
申请人
:
申请人地址
:
611731 四川省成都市高新西区出口加工区(西区)科新路8号
IPC主分类号
:
H01L2978
IPC分类号
:
H01L29423
代理机构
:
代理人
:
法律状态
:
授权
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2013-12-04
授权
授权
共 50 条
[1]
高压器件及其制造方法
[P].
唐纳德R.迪斯尼
论文数:
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0
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唐纳德R.迪斯尼
;
欧力杰.米力克
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欧力杰.米力克
;
易坤
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易坤
.
中国专利
:CN103208523B
,2013-07-17
[2]
横向高压器件及其制造方法
[P].
唐纳徳·迪斯尼
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0
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唐纳徳·迪斯尼
;
欧力杰·米力克
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欧力杰·米力克
.
中国专利
:CN102751330A
,2012-10-24
[3]
高压BCD工艺中高压器件的隔离结构
[P].
闻永祥
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闻永祥
;
张邵华
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张邵华
;
江宇雷
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江宇雷
;
孙样慧
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孙样慧
;
俞国强
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俞国强
.
中国专利
:CN202616219U
,2012-12-19
[4]
半导体器件、高压器件和形成高压器件的方法
[P].
林明正
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林明正
;
吴成堡
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吴成堡
;
蔡俊琳
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蔡俊琳
;
吴浩昀
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吴浩昀
.
中国专利
:CN110970423B
,2020-04-07
[5]
耐高压器件
[P].
张明志
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机构:
苏州达晶微电子有限公司
苏州达晶微电子有限公司
张明志
;
沈礼福
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机构:
苏州达晶微电子有限公司
苏州达晶微电子有限公司
沈礼福
;
廖兵
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机构:
苏州达晶微电子有限公司
苏州达晶微电子有限公司
廖兵
.
中国专利
:CN222546339U
,2025-02-28
[6]
高压DMOS器件
[P].
钱文生
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钱文生
.
中国专利
:CN102044562A
,2011-05-04
[7]
SOI高压器件
[P].
方健
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方健
;
周贤达
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周贤达
;
张波
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张波
;
乔明
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乔明
.
中国专利
:CN101179097A
,2008-05-14
[8]
高压器件结构
[P].
田志
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机构:
上海华力集成电路制造有限公司
上海华力集成电路制造有限公司
田志
;
陈国鹏
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机构:
上海华力集成电路制造有限公司
上海华力集成电路制造有限公司
陈国鹏
;
陈昊瑜
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机构:
上海华力集成电路制造有限公司
上海华力集成电路制造有限公司
陈昊瑜
;
邵华
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机构:
上海华力集成电路制造有限公司
上海华力集成电路制造有限公司
邵华
.
中国专利
:CN119403200A
,2025-02-07
[9]
高压LDMOS器件
[P].
毛焜
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0
毛焜
.
中国专利
:CN206179871U
,2017-05-17
[10]
高压器件结构
[P].
田志
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机构:
上海华力集成电路制造有限公司
上海华力集成电路制造有限公司
田志
;
陈国鹏
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机构:
上海华力集成电路制造有限公司
上海华力集成电路制造有限公司
陈国鹏
;
陈昊瑜
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机构:
上海华力集成电路制造有限公司
上海华力集成电路制造有限公司
陈昊瑜
;
邵华
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机构:
上海华力集成电路制造有限公司
上海华力集成电路制造有限公司
邵华
.
中国专利
:CN119403200B
,2025-09-26
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