一种QLED器件及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201711445296.8

申请日：

2017-12-27

公开(公告)号：

CN109980052B

公开(公告)日：

2019-07-05

发明(设计)人：

李泽伟曹蔚然

申请人：

申请人地址：

516006 广东省惠州市仲恺高新区惠风三路17号TCL科技大厦

IPC主分类号：

H01L3300

IPC分类号：

H01L3306

代理机构：

深圳市君胜知识产权代理事务所(普通合伙) 44268

代理人：

王永文;刘文求

法律状态：

著录事项变更

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-11-10	著录事项变更	著录事项变更 IPC(主分类):H01L 33/00 变更事项:申请人变更前:TCL集团股份有限公司变更后:TCL科技集团股份有限公司变更事项:地址变更前:516006 广东省惠州市仲恺高新技术开发区十九号小区变更后:516006 广东省惠州市仲恺高新区惠风三路17号TCL科技大厦
2020-11-17	授权	授权
2019-07-05	公开	公开
2019-07-30	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 33/00 申请日:20171227

共 50 条

[1]

QLED器件及其制备方法 [P].

汪鹏生 ;

龚克 .

中国专利 :CN115440911A ,2022-12-06

[2]

QLED器件及其制备方法 [P].

王宇 ;

曹蔚然 ;

李龙基 .

中国专利 :CN108878663A ,2018-11-23

[3]

QLED器件及其制备方法 [P].

陈亚文 ;

宋晶尧 ;

付东 .

中国专利 :CN108346749A ,2018-07-31

[4]

QLED器件及其制备方法 [P].

刘佳 .

中国专利 :CN106784202A ,2017-05-31

[5]

QLED器件及其制备方法 [P].

李龙基 ;

曹蔚然 .

中国专利 :CN109427933B ,2019-03-05

[6]

QLED器件及其制备方法 [P].

朱佩 ;

曹蔚然 .

中国专利 :CN109935712A ,2019-06-25

[7]

QLED器件及其制备方法 [P].

王宇 ;

曹蔚然 ;

杨一行 ;

钱磊 .

中国专利 :CN106784191B ,2017-05-31

[8]

一种QLED器件及其制备方法 [P].

向超宇 ;

邓天旸 ;

李乐 ;

张滔 ;

辛征航 ;

张东华 .

中国专利 :CN109713141B ,2019-05-03

[9]

一种QLED器件及其制备方法 [P].

钱磊 ;

杨一行 ;

曹蔚然 .

中国专利 :CN105720206A ,2016-06-29

[10]

一种QLED器件及QLED器件的制备方法 [P].

龚浩天 ;

庄锦勇 .

中国专利 :CN115568239A ,2023-01-03

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