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晶圆薄膜的生长方法、炉管晶圆排布系统以及挡片
被引:0
专利类型
:
发明
申请号
:
CN202010045542.6
申请日
:
2020-01-16
公开(公告)号
:
CN111235549A
公开(公告)日
:
2020-06-05
发明(设计)人
:
潘玉妹
詹冬武
潘国卫
申请人
:
申请人地址
:
430074 湖北省武汉市武汉东湖新技术开发区未来三路88号
IPC主分类号
:
C23C16455
IPC分类号
:
C23C1654
代理机构
:
北京成创同维知识产权代理有限公司 11449
代理人
:
蔡纯;刘静
法律状态
:
公开
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2020-06-05
公开
公开
2020-06-30
实质审查的生效
实质审查的生效 IPC(主分类):C23C 16/455 申请日:20200116
共 50 条
[1]
炉管用挡片套件、用于晶圆薄膜沉积的炉管及方法
[P].
郝胜男
论文数:
0
引用数:
0
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机构:
芯恩(青岛)集成电路有限公司
芯恩(青岛)集成电路有限公司
郝胜男
;
耿晨晨
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机构:
芯恩(青岛)集成电路有限公司
芯恩(青岛)集成电路有限公司
耿晨晨
;
林晓涵
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机构:
芯恩(青岛)集成电路有限公司
芯恩(青岛)集成电路有限公司
林晓涵
;
焦圣杰
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机构:
芯恩(青岛)集成电路有限公司
芯恩(青岛)集成电路有限公司
焦圣杰
.
中国专利
:CN120099490A
,2025-06-06
[2]
一种用于晶圆薄膜沉积的炉管
[P].
杨晓燕
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机构:
芯恩(青岛)集成电路有限公司
芯恩(青岛)集成电路有限公司
杨晓燕
;
林晓涵
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机构:
芯恩(青岛)集成电路有限公司
芯恩(青岛)集成电路有限公司
林晓涵
;
李小乐
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机构:
芯恩(青岛)集成电路有限公司
芯恩(青岛)集成电路有限公司
李小乐
;
娄培阳
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机构:
芯恩(青岛)集成电路有限公司
芯恩(青岛)集成电路有限公司
娄培阳
.
中国专利
:CN223033447U
,2025-06-27
[3]
晶圆薄膜沉积制备系统
[P].
邵志锋
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机构:
珠海格力电子元器件有限公司
珠海格力电子元器件有限公司
邵志锋
;
李辉
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机构:
珠海格力电子元器件有限公司
珠海格力电子元器件有限公司
李辉
.
中国专利
:CN223660200U
,2025-12-12
[4]
晶圆薄膜定向生长的监控装置
[P].
涂火金
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涂火金
;
三重野文健
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三重野文健
.
中国专利
:CN202330278U
,2012-07-11
[5]
晶圆薄膜检测装置、半导体设备及晶圆薄膜检测方法
[P].
沈钲皓
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机构:
青岛海存微电子有限公司
青岛海存微电子有限公司
沈钲皓
;
李卫
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机构:
青岛海存微电子有限公司
青岛海存微电子有限公司
李卫
;
蓝鹏程
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机构:
青岛海存微电子有限公司
青岛海存微电子有限公司
蓝鹏程
;
刘宏喜
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机构:
青岛海存微电子有限公司
青岛海存微电子有限公司
刘宏喜
;
王戈飞
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机构:
青岛海存微电子有限公司
青岛海存微电子有限公司
王戈飞
.
中国专利
:CN120870170A
,2025-10-31
[6]
贴合SOI晶圆的制造方法及贴合SOI晶圆
[P].
今井俊和
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今井俊和
;
吉田和彦
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吉田和彦
;
二井谷美保
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二井谷美保
;
若林大士
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若林大士
;
石川修
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石川修
.
中国专利
:CN112262455A
,2021-01-22
[7]
贴合SOI晶圆的制造方法及贴合SOI晶圆
[P].
今井俊和
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机构:
信越半导体株式会社
信越半导体株式会社
今井俊和
;
吉田和彦
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机构:
信越半导体株式会社
信越半导体株式会社
吉田和彦
;
二井谷美保
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机构:
信越半导体株式会社
信越半导体株式会社
二井谷美保
;
若林大士
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机构:
信越半导体株式会社
信越半导体株式会社
若林大士
;
石川修
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机构:
信越半导体株式会社
信越半导体株式会社
石川修
.
日本专利
:CN112262455B
,2024-08-16
[8]
晶圆薄膜量测方法及装置
[P].
李贤铭
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李贤铭
;
陈国庆
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陈国庆
.
中国专利
:CN110718478A
,2020-01-21
[9]
量测晶圆薄膜厚度的装置
[P].
张文锋
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张文锋
;
王培敏
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王培敏
;
马峰
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马峰
;
阙凤森
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阙凤森
.
中国专利
:CN100547755C
,2008-08-13
[10]
晶圆薄膜厚度测量方法及设备
[P].
周惠言
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机构:
北京特思迪半导体设备有限公司
北京特思迪半导体设备有限公司
周惠言
;
孟炜涛
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0
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机构:
北京特思迪半导体设备有限公司
北京特思迪半导体设备有限公司
孟炜涛
;
孙昕宇
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机构:
北京特思迪半导体设备有限公司
北京特思迪半导体设备有限公司
孙昕宇
;
蒋继乐
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机构:
北京特思迪半导体设备有限公司
北京特思迪半导体设备有限公司
蒋继乐
;
黄银国
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机构:
北京特思迪半导体设备有限公司
北京特思迪半导体设备有限公司
黄银国
;
葛乃义
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机构:
北京特思迪半导体设备有限公司
北京特思迪半导体设备有限公司
葛乃义
.
中国专利
:CN119468944A
,2025-02-18
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