晶圆薄膜的生长方法、炉管晶圆排布系统以及挡片

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专利类型
发明
申请号
CN202010045542.6
申请日
2020-01-16
公开(公告)号
CN111235549A
公开(公告)日
2020-06-05
发明(设计)人
潘玉妹 詹冬武 潘国卫
申请人
申请人地址
430074 湖北省武汉市武汉东湖新技术开发区未来三路88号
IPC主分类号
C23C16455
IPC分类号
C23C1654
代理机构
北京成创同维知识产权代理有限公司 11449
代理人
蔡纯;刘静
法律状态
公开
国省代码
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共 50 条
[1]
炉管用挡片套件、用于晶圆薄膜沉积的炉管及方法 [P]. 
郝胜男 ;
耿晨晨 ;
林晓涵 ;
焦圣杰 .
中国专利 :CN120099490A ,2025-06-06
[2]
一种用于晶圆薄膜沉积的炉管 [P]. 
杨晓燕 ;
林晓涵 ;
李小乐 ;
娄培阳 .
中国专利 :CN223033447U ,2025-06-27
[3]
晶圆薄膜沉积制备系统 [P]. 
邵志锋 ;
李辉 .
中国专利 :CN223660200U ,2025-12-12
[4]
晶圆薄膜定向生长的监控装置 [P]. 
涂火金 ;
三重野文健 .
中国专利 :CN202330278U ,2012-07-11
[5]
晶圆薄膜检测装置、半导体设备及晶圆薄膜检测方法 [P]. 
沈钲皓 ;
李卫 ;
蓝鹏程 ;
刘宏喜 ;
王戈飞 .
中国专利 :CN120870170A ,2025-10-31
[6]
贴合SOI晶圆的制造方法及贴合SOI晶圆 [P]. 
今井俊和 ;
吉田和彦 ;
二井谷美保 ;
若林大士 ;
石川修 .
中国专利 :CN112262455A ,2021-01-22
[7]
贴合SOI晶圆的制造方法及贴合SOI晶圆 [P]. 
今井俊和 ;
吉田和彦 ;
二井谷美保 ;
若林大士 ;
石川修 .
日本专利 :CN112262455B ,2024-08-16
[8]
晶圆薄膜量测方法及装置 [P]. 
李贤铭 ;
陈国庆 .
中国专利 :CN110718478A ,2020-01-21
[9]
量测晶圆薄膜厚度的装置 [P]. 
张文锋 ;
王培敏 ;
马峰 ;
阙凤森 .
中国专利 :CN100547755C ,2008-08-13
[10]
晶圆薄膜厚度测量方法及设备 [P]. 
周惠言 ;
孟炜涛 ;
孙昕宇 ;
蒋继乐 ;
黄银国 ;
葛乃义 .
中国专利 :CN119468944A ,2025-02-18