半导体蚀刻机的连杆组件的改良结构

被引：0

专利类型：

实用新型

申请号：

CN201920411731.3

申请日：

2019-03-28

公开(公告)号：

CN209785884U

公开(公告)日：

2019-12-13

发明(设计)人：

吴讃昌

申请人：

申请人地址：

中国台湾台南市

IPC主分类号：

H01L2167

IPC分类号：

代理机构：

北京科龙寰宇知识产权代理有限责任公司 11139

代理人：

孙皓晨;李林

法律状态：

授权

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2019-12-13	授权	授权

共 50 条

[1]

半导体蚀刻机用蚀刻头结构 [P].

万琳旭 .

中国专利 :CN221827843U ,2024-10-11

[2]

一种半导体蚀刻机用的耐磨损连杆组 [P].

王烽宇 .

中国专利 :CN216528782U ,2022-05-13

[3]

一种具有清洗结构的半导体蚀刻机 [P].

黄伟玲 .

中国专利 :CN213792997U ,2021-07-27

[4]

改进的半导体蚀刻机台 [P].

刘相贤 .

中国专利 :CN2935468Y ,2007-08-15

[5]

半导体机台的改良结构 [P].

刘相贤 ;

郑启民 .

中国专利 :CN201089790Y ,2008-07-23

[6]

半导体结构的蚀刻方法 [P].

刘艳杰 ;

杜兵 ;

刘来教 ;

顾海龙 ;

黄清俊 ;

谈文毅 .

中国专利 :CN119517741A ,2025-02-25

[7]

一种具有废料收集结构的半导体蚀刻机 [P].

黄伟玲 .

中国专利 :CN213124392U ,2021-05-04

[8]

一种具有快速装夹结构的半导体蚀刻机 [P].

黄伟玲 .

中国专利 :CN213124411U ,2021-05-04

[9]

半导体饮水机冰胆的改良结构 [P].

卢振涛 .

中国专利 :CN2631378Y ,2004-08-11

[10]

使用蚀刻气体蚀刻半导体结构的方法 [P].

R·古普塔 ;

V·R·帕里姆 ;

V·苏尔拉 ;

C·安德森 ;

N·斯塔福德 .

法国专利 :CN111261512B ,2024-02-06

← 1 2 3 4 5 →