改进的半导体蚀刻机台

被引：0

专利类型：

实用新型

申请号：

CN200620119834.5

申请日：

2006-08-02

公开(公告)号：

CN2935468Y

公开(公告)日：

2007-08-15

发明(设计)人：

刘相贤

申请人：

申请人地址：

中国台湾新竹县竹北市光明六路47号9楼

IPC主分类号：

H01L213065

IPC分类号：

H01L21683 C23F400

代理机构：

中原信达知识产权代理有限责任公司

代理人：

谢丽娜;陈肖梅

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2007-08-15	授权	授权
2008-06-04	专利申请权、专利权的转移(专利权的转移)	专利申请权、专利权的转移(专利权的转移) 变更事项:专利权人变更前权利人:联萌科技股份有限公司变更后权利人:力鼎精密股份有限公司变更事项:地址变更前:中国台湾新竹县竹北市光明六路47号9楼,邮编: 变更后:中国台湾苗栗县,邮编: 登记生效日:20080425
2010-11-03	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101012497600 IPC(主分类):H01L 21/3065 专利号:ZL2006201198345 申请日:20060802 授权公告日:20070815 终止日期:无

共 50 条

[1]

改进的半导体机台 [P].

刘相贤 .

中国专利 :CN200953342Y ,2007-09-26

[2]

改进式半导体机台 [P].

刘相贤 ;

彭弼声 ;

卓瑞斌 .

中国专利 :CN2929958Y ,2007-08-01

[3]

半导体干式蚀刻机台 [P].

不公告发明人 .

中国专利 :CN208521893U ,2019-02-19

[4]

改进的半导体机台 [P].

梁金堆 ;

林俊良 .

中国专利 :CN200981890Y ,2007-11-28

[5]

半导体材料的蚀刻方法及蚀刻机台的控制方法 [P].

张彪 .

中国专利 :CN119542135A ,2025-02-28

[6]

半导体机台的改进结构 [P].

刘相贤 ;

梁金堆 ;

林俊良 .

中国专利 :CN2929957Y ,2007-08-01

[7]

一种半导体湿法蚀刻装置及半导体机台 [P].

刘苏涛 ;

林士闵 .

中国专利 :CN220914168U ,2024-05-07

[8]

半导体蚀刻速度改进 [P].

J·－F·郑 ;

J·汉伯格 .

中国专利 :CN1577763A ,2005-02-09

[9]

半导体机台辅助装置及半导体机台套件 [P].

任升辉 .

中国专利 :CN216288325U ,2022-04-12

[10]

半导体蚀刻机用蚀刻头结构 [P].

万琳旭 .

中国专利 :CN221827843U ,2024-10-11

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