改进的半导体机台

被引:0
专利类型
实用新型
申请号
CN200620132865.4
申请日
2006-09-27
公开(公告)号
CN200953342Y
公开(公告)日
2007-09-26
发明(设计)人
刘相贤
申请人
申请人地址
中国台湾新竹县竹北市光明六路47号9楼
IPC主分类号
H01L2100
IPC分类号
H01L21203 H01L213065 H01L21683 C23C1400 C23F400
代理机构
中原信达知识产权代理有限责任公司
代理人
谢丽娜;陈肖梅
法律状态
专利权的终止
国省代码
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共 50 条
[1]
改进的半导体蚀刻机台 [P]. 
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[2]
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[3]
改进的半导体机台 [P]. 
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[4]
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梁金堆 ;
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[5]
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[7]
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[8]
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[10]
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