半导体蚀刻速度改进

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200410049312.8

申请日：

2004-06-10

公开(公告)号：

CN1577763A

公开(公告)日：

2005-02-09

发明(设计)人：

J·－F·郑 J·汉伯格

申请人：

申请人地址：

美国加利福尼亚州

IPC主分类号：

H01L21306

IPC分类号：

H01L21311 H01L213213 H01L21465

代理机构：

中国专利代理(香港)有限公司

代理人：

张雪梅;王忠忠

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2005-04-13	实质审查的生效	实质审查的生效
2007-04-18	授权	授权
2018-07-10	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 21/306 申请日:20040610 授权公告日:20070418 终止日期:20170610
2005-02-09	公开	公开

共 50 条

[1]

用于RC延迟改进的半导体器件蚀刻 [P].

林志男 ;

陈美玲 ;

刘复淳 .

中国专利 :CN105428307A ,2016-03-23

[2]

改进的半导体蚀刻机台 [P].

刘相贤 .

中国专利 :CN2935468Y ,2007-08-15

[3]

半导体蚀刻方法 [P].

邓丽刚 ;

凯蒂·霍尔 .

中国专利 :CN112567503A ,2021-03-26

[4]

半导体蚀刻方法 [P].

邓丽刚 ;

凯蒂·霍尔 .

英国专利 :CN112567503B ,2025-01-10

[5]

一种半导体蚀刻方法 [P].

陈育钟 ;

洪士平 ;

吴明宗 .

中国专利 :CN102468188B ,2012-05-23

[6]

半导体蚀刻用托盘 [P].

林基明 ;

李孟轩 ;

林宏达 ;

翟虎 .

中国专利 :CN221407254U ,2024-07-23

[7]

蚀刻方法、半导体器件 [P].

马军德 ;

郭亮良 ;

汪新学 ;

阮炯明 .

中国专利 :CN104658896B ,2015-05-27

[8]

半导体蚀刻设备 [P].

姜东勋 .

中国专利 :CN111326444B ,2025-03-07

[9]

半导体蚀刻装置 [P].

崔成锡 ;

朴珍俊 .

中国专利 :CN1725451A ,2006-01-25

[10]

半导体蚀刻设备 [P].

章发明 .

中国专利 :CN115440558A ,2022-12-06

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