掺杂氧化镓晶体及其制备方法

被引：0

申请号：

CN202210414076.3

申请日：

2017-03-03

公开(公告)号：

CN114836832A

公开(公告)日：

2022-08-02

发明(设计)人：

夏长泰赛青林周威齐红基

申请人：

申请人地址：

311421 浙江省杭州市富阳区春江街道江南路68号第23幢301室

IPC主分类号：

C30B2916

IPC分类号：

C30B1300 C30B1100 C30B1500 H01L31032

代理机构：

北京毕科锐森知识产权代理事务所(普通合伙) 11877

代理人：

王家毅;王静

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-08-02	公开	公开
2022-08-19	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):C30B 29/16 申请日:20170303

共 50 条

[1]

掺杂氧化镓晶体及其制备方法 [P].

夏长泰 ;

赛青林 ;

周威 ;

齐红基 .

中国专利 :CN108531989A ,2018-09-14

[2]

高电导率的共掺杂氧化镓晶体及其制备方法 [P].

夏长泰 ;

张宏哲 ;

王林军 ;

赛青林 ;

周威 ;

齐红基 ;

潘明艳 .

中国专利 :CN106868593B ,2017-06-20

[3]

一种半绝缘氧化镓晶体及其制备方法 [P].

陶绪堂 ;

穆文祥 ;

贾志泰 .

中国专利 :CN109537055A ,2019-03-29

[4]

氧化镓晶体及其异质外延方法 [P].

张逸韵 ;

姚然 ;

杨华 ;

伊晓燕 ;

王军喜 .

中国专利 :CN118374877A ,2024-07-23

[5]

掺杂氧化镓膜的制备方法及掺杂氧化镓膜 [P].

夏晓川 ;

申人升 ;

柳阳 ;

梁红伟 ;

杜国同 ;

胡礼中 .

中国专利 :CN103469299B ,2013-12-25

[6]

氧化镓晶体及其异质外延方法 [P].

张逸韵 ;

姚然 ;

杨华 ;

伊晓燕 ;

王军喜 .

中国专利 :CN118374877B ,2025-07-18

[7]

氧化镓晶体管及其制备方法 [P].

龙世兵 ;

吴枫 .

中国专利 :CN110571274B ,2019-12-13

[8]

用于生长氧化镓晶体的坩埚及其制备方法 [P].

李龙 ;

李培刚 .

中国专利 :CN116874285B ,2025-01-28

[9]

掺钛氧化镓晶体及其制备方法与应用 [P].

贾志泰 ;

穆文祥 ;

陶绪堂 .

中国专利 :CN107201543A ,2017-09-26

[10]

石墨烯量子点掺杂氧化镓晶体材料及其制备方法 [P].

沈荣存 .

中国专利 :CN109183151A ,2019-01-11

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