一种半绝缘氧化镓晶体及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201910083296.0

申请日：

2019-01-28

公开(公告)号：

CN109537055A

公开(公告)日：

2019-03-29

发明(设计)人：

陶绪堂穆文祥贾志泰

申请人：

申请人地址：

250199 山东省济南市历城区山大南路27号

IPC主分类号：

C30B2922

IPC分类号：

C30B1534

代理机构：

济南金迪知识产权代理有限公司 37219

代理人：

杨磊

法律状态：

公开

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2019-03-29	公开	公开
2019-04-23	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):C30B 29/22 申请日:20190128

共 50 条

[1]

一种氧化镓半绝缘衬底的制备方法及氧化镓半绝缘衬底 [P].

刘新科 ;

李一阳 ;

范康凯 ;

钟智祥 ;

陈春燕 ;

黎晓华 ;

王铠丰 ;

何军 ;

刘河洲 .

中国专利 :CN121006618A ,2025-11-25

[2]

掺杂氧化镓晶体及其制备方法 [P].

夏长泰 ;

赛青林 ;

周威 ;

齐红基 .

中国专利 :CN108531989A ,2018-09-14

[3]

掺杂氧化镓晶体及其制备方法 [P].

夏长泰 ;

赛青林 ;

周威 ;

齐红基 .

中国专利 :CN114836832A ,2022-08-02

[4]

一种增强型氧化镓晶体管及其制备方法 [P].

郁鑫鑫 ;

李忠辉 ;

沈睿 .

中国专利 :CN118156142A ,2024-06-07

[5]

一种垂直型氧化镓晶体管及其制备方法 [P].

周选择 ;

徐光伟 ;

龙世兵 .

中国专利 :CN115410922A ,2022-11-29

[6]

氧化镓晶体管及其制备方法 [P].

龙世兵 ;

吴枫 .

中国专利 :CN110571274B ,2019-12-13

[7]

一种氧化镓晶体管及其制备方法 [P].

于洪宇 ;

曾凡明 ;

葛琪 ;

汪青 .

中国专利 :CN112885893A ,2021-06-01

[8]

一种氧化镓横向增强型场效应晶体管及其制备方法 [P].

廖飞 ;

游金乐 ;

冯文林 ;

杨晓占 ;

马泽鹏 .

中国专利 :CN120812992A ,2025-10-17

[9]

一种氧化镓晶体及其制备方法和应用 [P].

谢奎 ;

李佳明 ;

叶灵婷 .

中国专利 :CN114775055A ,2022-07-22

[10]

一种N型氧化镓晶体及其制备方法 [P].

黄浩天 ;

邓淇元 ;

齐红基 ;

秦娟 .

中国专利 :CN121137804A ,2025-12-16

← 1 2 3 4 5 →