半导体装置的制法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201110348623.4

申请日：

2011-11-07

公开(公告)号：

CN102468192A

公开(公告)日：

2012-05-23

发明(设计)人：

岩重朝仁市川智昭杉本直哉襖田光昭保手滨洋幸秋月伸也

申请人：

申请人地址：

日本大阪府

IPC主分类号：

H01L2156

IPC分类号：

H01L2329 C08G5962 C08G5924

代理机构：

北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277

代理人：

刘新宇;李茂家

法律状态：

专利权的终止

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-10-19	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 21/56 申请日:20111107 授权公告日:20160120 终止日期:20201107
2013-09-18	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101521123893 IPC(主分类):H01L 21/56 专利申请号:2011103486234 申请日:20111107
2012-05-23	公开	公开
2015-12-23	专利申请权、专利权的转移	专利申请权的转移号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101725409539 IPC(主分类):H01L 21/56 专利申请号:2011103486234 登记生效日:20151130 变更事项:申请人变更前权利人:日东电工株式会社变更后权利人:日立化成株式会社变更事项:地址变更前权利人:日本大阪府变更后权利人:日本东京都
2016-01-20	授权	授权

共 50 条

[1]

半导体装置的制法 [P].

岩重朝仁 ;

市川智昭 ;

杉本直哉 ;

襖田光昭 ;

保手滨洋幸 ;

秋月伸也 .

中国专利 :CN105551980A ,2016-05-04

[2]

半导体装置及其制法 [P].

德永淳人 ;

泽村泰司 ;

田中正幸 .

中国专利 :CN1207319C ,2001-10-24

[3]

半导体装置的制造方法以及半导体装置 [P].

田部井纯一 .

中国专利 :CN105377980A ,2016-03-02

[4]

密封用树脂片及用其的半导体装置、该半导体装置的制法 [P].

小田高司 ;

盛田浩介 ;

千岁裕之 .

中国专利 :CN102683297A ,2012-09-19

[5]

半导体装置 [P].

铃木达 .

中国专利 :CN102612743B ,2012-07-25

[6]

半导体密封用片及其制法和使用该片的半导体装置 [P].

大野博文 ;

山根实 ;

伊奈康信 ;

梅野正一 .

中国专利 :CN100339457C ,2005-02-09

[7]

半导体装置与半导体元件的制法 [P].

林秉顺 ;

林家彬 ;

许光源 .

中国专利 :CN102315127B ,2012-01-11

[8]

光半导体装置用环氧树脂组合物及使用其得到的光半导体装置用引线框、封装型光半导体元件以及光半导体装置 [P].

福家一浩 ;

深道佑一 ;

大西秀典 .

中国专利 :CN105493302A ,2016-04-13

[9]

半导体密封用环氧树脂组合物及半导体装置 [P].

西川敦准 .

中国专利 :CN102875974A ,2013-01-16

[10]

半导体密封用环氧树脂组合物及半导体装置 [P].

广兼大介 .

中国专利 :CN1934190B ,2007-03-21

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