压致势垒变化式氮化镓压力传感器及其制备方法

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN202110960366.3
申请日
2021-08-20
公开(公告)号
CN113686468B
公开(公告)日
2021-11-23
发明(设计)人
刘泽文 孙剑文
申请人
申请人地址
100084 北京市海淀区清华园
IPC主分类号
G01L116
IPC分类号
代理机构
北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201
代理人
赵丽婷
法律状态
公开
国省代码
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共 50 条
[1]
氮化镓压力传感器及其制备方法 [P]. 
刘泽文 ;
孙剑文 .
中国专利 :CN113745326A ,2021-12-03
[2]
氮化镓压力传感器及其制备方法 [P]. 
刘泽文 ;
孙剑文 .
中国专利 :CN113745326B ,2025-01-14
[3]
氮化镓压力传感器 [P]. 
刘泽文 ;
孙剑文 .
中国专利 :CN216528897U ,2022-05-13
[4]
氮化镓压力传感器及其制作方法 [P]. 
刘云鹏 ;
孙剑文 .
中国专利 :CN117147023B ,2024-02-13
[5]
电容式压力传感器及其制备方法 [P]. 
傅邱云 ;
王静 ;
罗为 ;
聂波 .
中国专利 :CN114671399A ,2022-06-28
[6]
电容式压力传感器及其制备方法 [P]. 
蔡清华 ;
张新伟 ;
薛静静 ;
顾坚俭 ;
胡永强 ;
丁妍 ;
丁丹 ;
李俊萍 ;
康健力 ;
潘守彬 ;
陈佳霞 ;
李立霞 .
中国专利 :CN120651392A ,2025-09-16
[7]
电容式压力传感器及其制备方法 [P]. 
田瑞兰 ;
韦方怡 ;
张小龙 ;
王明昊 ;
卢绪浩 ;
张寅硕 ;
李心怡 ;
郝华楠 .
中国专利 :CN116183066B ,2025-09-09
[8]
压阻式压力传感器及其制备方法 [P]. 
朱朋莉 ;
帅行天 ;
李刚 ;
胡友根 ;
孙蓉 .
中国专利 :CN106092390A ,2016-11-09
[9]
压阻式压力传感器及其制备方法 [P]. 
黄贤 ;
谢军 ;
吴昭 .
中国专利 :CN106066219B ,2016-11-02
[10]
压阻式压力传感器及其制备方法 [P]. 
吕萍 ;
李刚 .
中国专利 :CN117263139B ,2024-02-02