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半导体晶粒的制造方法

被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN201910537982.0
申请日：
2019-06-20
公开(公告)号：
CN110660676A
公开(公告)日：
2020-01-07
发明(设计)人：
王韻婷 林奕安 张庆全 郭铂漳
申请人：
申请人地址：
中国台湾新竹市新竹科学工业园区力行六路八号
IPC主分类号：
H01L2148
IPC分类号：
H01L23498
代理机构：
北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006
代理人：
徐金国
法律状态：
发明专利申请公布后的视为撤回
国省代码：
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2021-12-07 发明专利申请公布后的视为撤回 发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):H01L 21/48 申请公布日:20200107
2020-01-07 公开 公开
共 50 条
[1]
半导体装置及半导体装置的制造方法 [P]. 
洼内源宜 ;
下沢慎 ;
吉村尚 .
日本专利 :CN118435357A ,2024-08-02
[2]
半导体基板的制造方法和半导体基板 [P]. 
黄杰 ;
宁策 ;
李正亮 ;
胡合合 ;
贺家煜 ;
姚念琦 ;
赵坤 ;
曲峰 ;
许晓春 .
中国专利 :CN113838801A ,2021-12-24
[3]
半导体基板的制造方法及半导体基板 [P]. 
秦雅彦 ;
市川磨 ;
卜部友二 ;
宫田典幸 ;
前田辰郎 ;
安田哲二 .
中国专利 :CN103548126B ,2014-01-29
[4]
半导体基板的制造方法和半导体基板 [P]. 
黄杰 ;
宁策 ;
李正亮 ;
胡合合 ;
贺家煜 ;
姚念琦 ;
赵坤 ;
曲峰 ;
许晓春 .
中国专利 :CN113838801B ,2024-10-22
[5]
半导体晶粒及其制造方法 [P]. 
林孟汉 ;
黄家恩 .
中国专利 :CN114792693A ,2022-07-26
[6]
半导体晶粒及其制造方法 [P]. 
蒋光浩 .
中国专利 :CN119907311A ,2025-04-29
[7]
半导体元件的制造方法 [P]. 
李丹晨 ;
詹博文 .
中国专利 :CN102332402A ,2012-01-25
[8]
半导体装置的制造方法 [P]. 
王文生 .
中国专利 :CN101203957B ,2008-06-18
[9]
制造半导体装置的方法 [P]. 
罗伊辰 ;
林立德 ;
黄玉莲 .
中国专利 :CN108231563A ,2018-06-29
[10]
半导体装置的制造方法 [P]. 
洼内源宜 ;
下沢慎 ;
吉村尚 .
日本专利 :CN118369758A ,2024-07-19
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