一种Bi2S3块体热电材料及其高压制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202110450264.7

申请日：

2021-04-25

公开(公告)号：

CN113511897B

公开(公告)日：

2021-10-19

发明(设计)人：

张跃文姬文婷张壮飞房超贾晓鹏

申请人：

申请人地址：

450001 河南省郑州市高新区科学大道100号

IPC主分类号：

C04B35547

IPC分类号：

C04B35622 H01L3516 H01L3534

代理机构：

西安铭泽知识产权代理事务所(普通合伙) 61223

代理人：

徐云侠

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-09-13	授权	授权
2021-10-19	公开	公开
2021-11-05	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):C04B 35/547 申请日:20210425

共 50 条

[1]

一种圆饼状Bi2S3热电材料及其制备方法 [P].

阮迪清 ;

程琳 ;

刘爱萍 .

中国专利 :CN113666416A ,2021-11-19

[2]

一种硒化锡块体热电材料的超高压制备方法 [P].

赵小苗 ;

李祯煜 ;

张岩 ;

索天宇 ;

赵志伟 ;

张文强 ;

寇舒心 ;

关春龙 .

中国专利 :CN118270740A ,2024-07-02

[3]

一种Bi2S3掺杂的PbS热电材料及其制备方法 [P].

不公告发明人 .

中国专利 :CN106558647A ,2017-04-05

[4]

一种高性能银锡硒多晶块体热电材料及其制备方法和应用 [P].

郑启娴 ;

祁宁 ;

陈志权 .

中国专利 :CN120398547A ,2025-08-01

[5]

一种Bi2O2Se基热电材料及其制备方法 [P].

詹斌 ;

林元华 .

中国专利 :CN104261357B ,2015-01-07

[6]

一种快速制备高性能AgBiSe2块体热电材料的方法 [P].

唐新峰 ;

刘婵 ;

苏贤礼 ;

杨东旺 .

中国专利 :CN104404284B ,2015-03-11

[7]

一种微量Cu掺杂Bi2S3基热电材料 [P].

张波萍 ;

葛振华 ;

于昭新 ;

刘勇 .

中国专利 :CN102280570B ,2011-12-14

[8]

一种块体热电材料 [P].

何琴玉 ;

钟斌 ;

张勇 .

中国专利 :CN103151451A ,2013-06-12

[9]

一种Bi位掺杂N型Bi2S3热电材料的制备方法 [P].

杜学丽 ;

史荣娜 ;

王学伟 .

中国专利 :CN104934527B ,2015-09-23

[10]

一种含有孔洞结构的AgInTe<sub>2</sub>半导体热电材料及其制备方法和应用 [P].

张廷栋 ;

张亮 ;

曾召利 ;

田瑜 ;

马雯雯 .

中国专利 :CN120857841A ,2025-10-28

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