一种高性能银锡硒多晶块体热电材料及其制备方法和应用

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202510555390.7

申请日：

2025-04-29

公开(公告)号：

CN120398547A

公开(公告)日：

2025-08-01

发明(设计)人：

郑启娴祁宁陈志权

申请人：

武汉大学

申请人地址：

430072 湖北省武汉市武昌区八一路299号

IPC主分类号：

C04B35/547

IPC分类号：

H10N10/01 H10N10/852 C04B35/622 C04B35/626 C04B35/645

代理机构：

武汉科皓知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 42222

代理人：

邓程铭

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

湖北省武汉市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-08-19	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):C04B 35/547申请日:20250429
2025-08-01	公开	公开

共 50 条

[1]

一种PbSnSe<sub>2</sub>基多晶块体热电材料、其制备方法及应用 [P].

钱鑫 ;

梁会强 ;

李雪霏 ;

李志亮 ;

王淑芳 .

中国专利 :CN118574490A ,2024-08-30

[2]

一种高性能N型热电材料及其制备方法 [P].

姜鹏 ;

武建国 ;

包信和 .

中国专利 :CN115605069A ,2023-01-13

[3]

一种快速制备高性能AgBiSe2块体热电材料的方法 [P].

唐新峰 ;

刘婵 ;

苏贤礼 ;

杨东旺 .

中国专利 :CN104404284B ,2015-03-11

[4]

一种高性能BiTe基复合热电材料及其制备方法 [P].

姜鹏 ;

武建国 ;

包信和 .

中国专利 :CN114249304A ,2022-03-29

[5]

一种高性能热电复合材料及其制备方法 [P].

江莞 ;

李菲 ;

陈立东 ;

黄向阳 ;

孙正亮 .

中国专利 :CN102339946B ,2012-02-01

[6]

一种快速制备高性能GeTe基块体热电材料的方法 [P].

邢通 ;

史迅 ;

仇鹏飞 ;

刘旭升 ;

陈立东 .

中国专利 :CN119569457A ,2025-03-07

[7]

一种Bi2S3块体热电材料及其高压制备方法 [P].

张跃文 ;

姬文婷 ;

张壮飞 ;

房超 ;

贾晓鹏 .

中国专利 :CN113511897B ,2021-10-19

[8]

一种快速制备高性能ZrNiSn块体热电材料的方法 [P].

唐新峰 ;

杨东旺 ;

傅正义 ;

王为民 ;

王皓 ;

王玉成 ;

周梦兰 ;

徐崇君 ;

苏贤礼 .

中国专利 :CN104263980A ,2015-01-07

[9]

一种含有孔洞结构的AgInTe<sub>2</sub>半导体热电材料及其制备方法和应用 [P].

张廷栋 ;

张亮 ;

曾召利 ;

田瑜 ;

马雯雯 .

中国专利 :CN120857841A ,2025-10-28

[10]

一种硒化银基块体热电器件、制备方法及其应用 [P].

裴艳中 ;

李文 ;

刘敏 .

中国专利 :CN118510361A ,2024-08-16

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