一种PbSnSe<sub>2</sub>基多晶块体热电材料、其制备方法及应用

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202410402331.1

申请日：

2024-04-03

公开(公告)号：

CN118574490A

公开(公告)日：

2024-08-30

发明(设计)人：

钱鑫梁会强李雪霏李志亮王淑芳

申请人：

河北大学

申请人地址：

071002 河北省保定市五四东路180号

IPC主分类号：

H10N10/852

IPC分类号：

H10N10/01

代理机构：

石家庄国域专利商标事务所有限公司 13112

代理人：

胡素梅

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

河北省石家庄市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-09-17	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H10N 10/852申请日:20240403
2024-08-30	公开	公开

共 50 条

[1]

一种In<sub>2</sub>O<sub>3</sub>高温热电材料的制备方法与应用 [P].

吴慧娟 ;

韩新巍 ;

赵亚楠 ;

吴昆鹏 ;

韩滨 ;

刘乐乐 ;

杨岚 ;

陈志权 .

中国专利 :CN119797416A ,2025-04-11

[2]

一种高取向Bi<sub>2</sub>SeO<sub>2</sub>热电材料的制备方法 [P].

李甫 ;

赵健 ;

陈瑞华 .

中国专利 :CN117651467A ,2024-03-05

[3]

一种高性能银锡硒多晶块体热电材料及其制备方法和应用 [P].

郑启娴 ;

祁宁 ;

陈志权 .

中国专利 :CN120398547A ,2025-08-01

[4]

一种Bi<sub>2</sub>GeTe<sub>4</sub>基热电材料的制备方法 [P].

刘伟迪 ;

史晓磊 ;

李毅仁 ;

刘宏强 ;

田京雷 ;

侯环宇 ;

郝良元 ;

陈志刚 .

中国专利 :CN117729828A ,2024-03-19

[5]

一种含有孔洞结构的AgInTe<sub>2</sub>半导体热电材料及其制备方法和应用 [P].

张廷栋 ;

张亮 ;

曾召利 ;

田瑜 ;

马雯雯 .

中国专利 :CN120857841A ,2025-10-28

[6]

一种高性能Ag<sub>2</sub>Se基块体热电材料及其制备方法 [P].

邢通 ;

尹庭威 ;

仇鹏飞 ;

李小亚 ;

史迅 .

中国专利 :CN120246932A ,2025-07-04

[7]

一种半金属Co<sub>2</sub>MnGa热电材料的制备方法 [P].

魏平 ;

丁志强 ;

葛军杰 ;

叶博宇 ;

赵文俞 ;

朱婉婷 ;

聂晓蕾 ;

贺丹琪 ;

张清杰 .

中国专利 :CN117926099B ,2024-12-17

[8]

一种半金属Co<sub>2</sub>MnGa热电材料的制备方法 [P].

魏平 ;

丁志强 ;

葛军杰 ;

叶博宇 ;

赵文俞 ;

朱婉婷 ;

聂晓蕾 ;

贺丹琪 ;

张清杰 .

中国专利 :CN117926099A ,2024-04-26

[9]

高纯纤维状CsAg<sub>5</sub>Te<sub>3</sub>纳米热电粉体及热电块体的制备方法 [P].

王丽君 ;

汪娴 ;

袁宁一 ;

丁建宁 .

中国专利 :CN116639666B ,2025-05-02

[10]

一种c轴取向生长的SnSb<sub>2</sub>Te<sub>4</sub>热电薄膜及其制备方法 [P].

陈明敬 ;

王淑芳 ;

钱鑫 ;

陈旭阳 ;

郭浩然 ;

李志亮 ;

方立德 .

中国专利 :CN116356271B ,2025-03-11

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